電子設(shè)備以及其驅(qū)動方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠進行各種顯示的電子設(shè)備。本發(fā)明提供一種能夠進行各種操作的電子設(shè)備。電子設(shè)備包括顯示裝置以及第一至第三面。第一面包括以與第二面接觸的方式設(shè)置的區(qū)域，第二面包括以與第三面接觸的方式設(shè)置的區(qū)域，第一面包括以與第三面相對的方式設(shè)置的區(qū)域。顯示裝置包括第一至第三顯示區(qū)域。第一顯示區(qū)域包括以與第一面重疊的方式設(shè)置的區(qū)域，第二顯示區(qū)域包括以與第二面重疊的方式設(shè)置的區(qū)域，第三顯示區(qū)域包括以與第三面重疊的方式設(shè)置的區(qū)域。第一顯示區(qū)域的面積大于第三顯示區(qū)域。
【專利說明】
電子設(shè)備以及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明的一個方式涉及一種能夠在曲面上顯示的顯示裝置。本發(fā)明的其他方式涉及一種能夠在多個不同面上顯示的顯示裝置。本發(fā)明的其他方式涉及一種包括能夠在曲面上顯示的顯示裝置的電子設(shè)備、發(fā)光裝置、照明裝置或其制造方法。本發(fā)明的其他方式涉及一種能夠在多個不同面上顯示的電子設(shè)備、發(fā)光裝置、照明裝置或其制造方法。
[0002]注意，本發(fā)明的一個方式不局限于上述技術(shù)領(lǐng)域。本說明書等所公開的發(fā)明的一個方式的技術(shù)領(lǐng)域涉及一種物體、方法或制造方法?；蛘?，本發(fā)明的一個方式涉及一種工序(process)、機器(machine)、產(chǎn)品(manufacture)或組合物(composit1n of matter)。更具體而言，本說明書所公開的本發(fā)明的一個方式的技術(shù)領(lǐng)域的例子包括半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、液晶顯示裝置、蓄電裝置、存儲裝置、這些裝置的驅(qū)動方法或者這些裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003]近年來，顯示裝置被期待應(yīng)用于各種用途，并被要求多樣化。例如，具備觸摸面板的智能手機或平板終端等便攜式信息終端的薄型化、高性能化及多功能化迅速進展。
[0004]專利文獻I公開了在薄膜襯底上設(shè)置有有機EL元件及用作開關(guān)元件的晶體管的柔性有源矩陣型發(fā)光裝置。
[0005][參考]
[0006][專利文獻]
[0007][專利文獻I]日本專利申請公開2003-174153號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的電子設(shè)備。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種能夠進行各種顯示的電子設(shè)備。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種能夠進行各種操作的電子設(shè)備。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種可用于這種電子設(shè)備的顯示裝置(顯示面板)。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種新穎的顯示裝置等。
[0009]本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種能夠拍攝適當?shù)膱D像的電子設(shè)備等。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種可以對拍攝對象照射光的電子設(shè)備等。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種容易換電池的電子設(shè)備等。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種容易操作的電子設(shè)備等。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種拍攝對象能夠確認拍攝狀況的電子設(shè)備等。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種容易進行無線通信的電子設(shè)備等。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種音質(zhì)好的電子設(shè)備等。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種能夠折疊或展開的電子設(shè)備等。
[0010]注意，對上述目的的描述并不妨礙其他目的存在。注意，本發(fā)明的一個方式并不需要實現(xiàn)所有上述目的。上述目的外的目的從說明書等的描述中是顯而易見的，并且可以從所述描述中得出。
[0011]本發(fā)明的一個方式是一種電子設(shè)備，包括:顯示裝置；以及第一至第三面。第一面包括與第二面接觸的區(qū)域。第二面包括與第三面接觸的區(qū)域。第一面包括與第三面相對的區(qū)域。顯示裝置包括第一至第三顯示區(qū)域。第一顯示區(qū)域包括與第一面重疊的區(qū)域。第二顯示區(qū)域包括與第二面重疊的區(qū)域。第三顯示區(qū)域包括與第三面重疊的區(qū)域。第一顯示區(qū)域的面積大于第三顯示區(qū)域。
[0012]本發(fā)明的其他方式是一種電子設(shè)備，包括:顯示裝置;輸入裝置；以及第一至第三面。第一面包括與第二面接觸的區(qū)域。第二面包括與第三面接觸的區(qū)域。第一面包括與第三面相對的區(qū)域。顯示裝置包括第一至第三顯示區(qū)域。第一顯示區(qū)域包括與第一面重疊的區(qū)域。第二顯示區(qū)域包括與第二面重疊的區(qū)域。第三顯示區(qū)域包括與第三面重疊的區(qū)域。輸入裝置包括與第一顯示區(qū)域重疊的區(qū)域、與第二顯示區(qū)域重疊的區(qū)域以及與第三顯示區(qū)域重疊的區(qū)域。第一顯示區(qū)域的面積大于第三顯示區(qū)域。
[0013]本發(fā)明的其他方式是一種電子設(shè)備，包括:顯示裝置；以及第一至第三面。第一面包括與第二面接觸的區(qū)域。第二面包括與第三面接觸的區(qū)域。第一面包括與第三面相對的區(qū)域。顯示裝置包括第一至第三顯示區(qū)域。第一顯示區(qū)域包括與第一面重疊的區(qū)域。第二顯示區(qū)域包括與第二面重疊的區(qū)域。第三顯示區(qū)域包括與第三面重疊的區(qū)域。顯示裝置在第一至第三顯示區(qū)域中具有觸摸傳感器的功能。第一顯示區(qū)域的面積大于第三顯示區(qū)域。
[0014]本發(fā)明的其他方式是一種電子設(shè)備，包括:顯示裝置；圖像傳感器；以及第一至第三面。第一面包括與第二面接觸的區(qū)域。第二面包括與第三面接觸的區(qū)域。第一面包括與第三面相對的區(qū)域。顯示裝置包括第一至第三顯示區(qū)域。第一顯示區(qū)域包括與第一面重疊的區(qū)域。第二顯示區(qū)域包括與第二面重疊的區(qū)域。第三顯示區(qū)域包括與第三面重疊的區(qū)域。顯示裝置在第一顯示區(qū)域中具有能夠顯示通過圖像傳感器得到的第一圖像的功能。顯示裝置在第二顯示區(qū)域中具有能夠顯示通過圖像傳感器得到的第二圖像的功能。
[0015]本發(fā)明的其他方式是一種具有上述結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備，其中第二面為側(cè)面。
[0016]本發(fā)明的其他方式是一種包括顯示裝置、圖像傳感器以及第一至第三面的電子設(shè)備的驅(qū)動方法。第一面包括與第二面接觸的區(qū)域。第二面包括與第三面接觸的區(qū)域。第一面包括與第三面相對的區(qū)域。顯示裝置包括第一至第三顯示區(qū)域。第一顯示區(qū)域包括與第一面重疊的區(qū)域。第二顯示區(qū)域包括與第二面重疊的區(qū)域。第三顯示區(qū)域包括與第三面重疊的區(qū)域。電子設(shè)備的驅(qū)動方法包括在第一顯示區(qū)域中顯示通過圖像傳感器得到的第一圖像且在第二顯示區(qū)域中顯示通過圖像傳感器得到的第二圖像。
[0017]本發(fā)明的其他方式是一種具有上述結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備的驅(qū)動方法，其中第二面為側(cè)面。
[0018]注意，在本說明書中，顯示裝置在其范疇內(nèi)包括如下模塊:在發(fā)光面板(發(fā)光裝置)中安裝有連接器諸如柔性印刷電路(FPC:Flexible Printed Circuit)或載帶封裝(TCP:Tape Carrier Package)的模塊；在TCP的端部設(shè)置有印刷線路板的模塊；以及集成電路(IC)通過玻璃覆晶封裝(C0G:Chip On Glass)方式直接安裝在形成有顯示元件的襯底上的豐旲塊。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種新穎的電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種可以進行各種顯示的電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種可以進行各種操作的電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種可應(yīng)用于這種電子設(shè)備的顯示裝置(顯示面板)。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種新穎的顯示裝置等。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種可以拍攝適當?shù)膱D像的電子設(shè)備等。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種可以對拍攝對象照射光的電子設(shè)備等。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種容易換電池的電子設(shè)備等。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種容易操作的電子設(shè)備等。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種拍攝對象可以確認拍攝狀況的電子設(shè)備等。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種容易進行無線通信的電子設(shè)備等。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種音質(zhì)好的電子設(shè)備等。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種可以折疊或展開的電子設(shè)備等。
[0021]注意，對上述效果的描述并不妨礙其他效果存在。本發(fā)明的一個方式并不需要具有所有上述效果。這些效果外的效果從說明書、附圖、權(quán)利要求書等的描述中是顯而易見的，并且可以從所述描述中得出。
【附圖說明】
[0022]圖1Al、圖1A2、圖1Bl及圖1B2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0023]圖2A1、圖2A2、圖2B1及圖2B2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0024]圖3A1、圖3A2、圖3B1及圖3B2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0025]圖4A1、圖4A2、圖4B1及圖4B2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0026]圖5A至圖5C示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0027]圖6A至圖6C不出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0028]圖7A和圖7B不出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0029]圖8A1、圖8A2、圖8B1及圖8B2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0030]圖9A1、圖9A2、圖9B1及圖9B2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0031 ]圖1OAl、圖10A2、圖1OBl及圖10B2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0032]圖1lAl、圖11A2、圖1lBl及圖11B2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0033]圖12A1和圖12A2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0034]圖13A1、圖13A2及圖13B示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0035]圖14A1、圖14A2及圖14B示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0036]圖15A和圖15B不出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0037]圖16A1、圖16A2、圖16B1及圖16B2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0038]圖17A1和圖17A2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0039]圖18A1、圖18A2、圖18B1及圖18B2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0040]圖19A1、圖19A2、圖19B1及圖19B2示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0041 ]圖20示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0042 ]圖21示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0043]圖22示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0044]圖23A至圖23C示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0045 ]圖24A至圖24E示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0046]圖25A至圖25C示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0047]圖26A至圖26D示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0048]圖27A至圖27C示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)實例；
[0049]圖28A至圖28C示出根據(jù)實施方式的發(fā)光面板的結(jié)構(gòu)實例；
[0050]圖29A至圖29C示出根據(jù)實施方式的發(fā)光面板的結(jié)構(gòu)實例；
[0051 ]圖30A至圖30C示出根據(jù)實施方式的發(fā)光面板的結(jié)構(gòu)實例；
[0052]圖31A至圖31C是氧化物半導(dǎo)體的截面TEM圖像及局部性的傅立葉變換圖像；
[0053]圖32A和圖32B是示出氧化物半導(dǎo)體膜的納米束電子衍射圖案的圖，圖32C和圖32D是示出透射電子衍射測量裝置的一個例子的圖；
[0054]圖33A是不出利用透射電子衍射測量的結(jié)構(gòu)分析的一個例子的圖，圖33B和圖33C是示出平面TEM圖像。
【具體實施方式】
[0055]下面，參照附圖對實施方式進行說明。但是，實施方式可以以多個不同的方式來實施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實，就是其方式和詳細內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在以下所示的本實施方式所記載的內(nèi)容中。注意，在下面說明的結(jié)構(gòu)中，在不同的附圖中共同使用相同的附圖標記來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其詳細說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加附圖標記。
[0056]注意，在一個實施方式中說明的內(nèi)容(或者其一部分)可以應(yīng)用于、組合于或者替換成在該實施方式中說明的其他內(nèi)容(或者其一部分)和/或在一個或多個其他實施方式中說明的內(nèi)容(或者其一部分)。
[0057]注意，在各實施方式中，內(nèi)容是指利用各種附圖來說明的內(nèi)容或利用說明書所記載的文章來說明的內(nèi)容。
[0058]注意，通過將在一個實施方式中說明的附圖(或者其一部分)與該附圖的其他部分、在該實施方式中說明的其他附圖(或者其一部分)和/或在一個或多個其他實施方式中說明的附圖(或者其一部分)組合，而可以構(gòu)成更多的附圖。
[0059]注意，在本說明書所示的各附圖中，為便于清楚地說明，有時夸大表示各構(gòu)成要素的大小、層的厚度或區(qū)域。因此，本發(fā)明并不一定限定于這樣的尺寸。
[0060]注意，在本說明書等中，“第一”、“第二”等序數(shù)詞是為了避免構(gòu)成要素的混淆而附加的，而不是為了在數(shù)字上進行限定的。
[0061 ]實施方式I
[0062]在本實施方式中，參照【附圖說明】本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備以及可用于該電子設(shè)備的顯示裝置(有時還稱為顯示面板)。
[0063][電子設(shè)備的例子]
[0064]圖1Al是示出下面所例示的電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖1A2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。
[0065]圖1Al及圖1A2所示的電子設(shè)備具備殼體(housing)lOl以及以能夠設(shè)置在殼體101的表面(例如，正面、背面、側(cè)面等)以進行顯示的顯示面板110。注意，有時在顯示面板110上為保護顯示面板免受損傷或損壞而設(shè)置覆蓋物或樹脂等。
[0066]殼體101包括正面、背面、第一側(cè)面、包含接觸于第一側(cè)面的區(qū)域的第二側(cè)面、包含與第一側(cè)面相對的區(qū)域的第三側(cè)面以及包含與第二側(cè)面相對的區(qū)域的第四側(cè)面?；蛘?，殼體101包括第一側(cè)面。第一側(cè)面包括接觸于正面及/或背面的區(qū)域?；蛘?，殼體101包括第二側(cè)面。第二側(cè)面包括接觸于正面及/或背面的區(qū)域?；蛘?，殼體101包括第三側(cè)面。第三側(cè)面包括接觸于正面及/或背面的區(qū)域。或者，殼體101包括第四側(cè)面。第四側(cè)面包括接觸于正面及/或背面的區(qū)域。
[0067]注意，正面包括與背面相對的區(qū)域。
[0068]換言之，殼體101包括多個面。例如，殼體101包括正面、背面并至少包括四個側(cè)面。由于各面有時平滑地發(fā)生變化，所以有時不容易確定各面的邊界。雖然使用“側(cè)面”來進行說明，但有時側(cè)面包括正面或背面的一部分的區(qū)域。
[0069]例如，側(cè)面是指從其橫方向觀看(例如，從看不到背面或正面的方向觀看)時能看到的區(qū)域。注意，在正面、背面、側(cè)面等包括曲面的情況下有時不容易確定邊界。在此情況下，例如，有時可以說某區(qū)域是正面(背面)的一部分且也是側(cè)面的一部分。同樣地，例如，有時可以說某區(qū)域是某側(cè)面的一部分且也是其他側(cè)面的一部分。
[0070]例如，側(cè)面包括與正面接觸的區(qū)域?；蛘撸瑐?cè)面包括與背面接觸的區(qū)域。例如，側(cè)面包括與其他側(cè)面接觸的區(qū)域。
[0071]在此，例如，正面及/或背面包括平坦的區(qū)域?；蛘撸?，正面及/或背面包括彎曲的區(qū)域。例如，側(cè)面包括彎曲的區(qū)域?；蛘?，例如，側(cè)面包括平坦的區(qū)域。注意，正面與背面有時難以相互區(qū)別。因此，有時將正面稱為背面，或?qū)⒈趁娣Q為正面。注意，正面有時包括比背面大的顯示區(qū)域。注意，例如，側(cè)面的面積小于正面或背面。
[0072]注意，除了上述各面之外，有時還設(shè)置有其他的面。即，殼體101不是六面體，而有時包括更多的面?；蛘?，殼體101有時只有包括比上述少的面。
[0073]顯示面板110包括以具有與殼體101的正面重疊的區(qū)域的方式設(shè)置的顯示區(qū)域
111。顯示面板110包括以具有與殼體101的側(cè)面之一重疊的區(qū)域的方式設(shè)置的顯示區(qū)域113。顯示面板110包括以具有與殼體101的背面的一部分區(qū)域重疊的區(qū)域的方式設(shè)置的顯示區(qū)域116。注意，在此，例如，設(shè)置有顯示區(qū)域113的側(cè)面的一邊長度短于沒有設(shè)置顯示區(qū)域113的側(cè)面。例如，設(shè)置有顯示區(qū)域113的側(cè)面的面積小于沒有設(shè)置顯示區(qū)域113的側(cè)面。即，例如，設(shè)置有顯示區(qū)域113的側(cè)面是平行于短軸方向的面，且是垂直于長軸方向的面。
[0074]在附圖中有時以虛線表示顯示區(qū)域111、顯示區(qū)域113以及顯示區(qū)域116的各邊界。注意，根據(jù)情況或狀況，各邊界有時不同于附圖中的以虛線表示的邊界。
[0075]在殼體101的四個側(cè)面中，包括至少與顯示面板110重疊的區(qū)域的區(qū)域優(yōu)選具有曲面形狀。例如，優(yōu)選在正面與側(cè)面之間以及側(cè)面與背面之間不具有角部，并且這些面連續(xù)。側(cè)面例如優(yōu)選為切線的傾斜角從殼體101的正面到背面連續(xù)變化的曲面。尤其是，側(cè)面優(yōu)選具有通過在不使平面伸縮的情況下改變平面形狀而得到的可展曲面。通過使側(cè)面具有這種形狀，能夠使顯示面板110平滑地彎曲。換言之，能夠增大使顯示面板110彎曲時的曲率半徑。由此，能夠減輕在彎曲時對顯示面板110造成的負擔，從而能夠延長顯示面板110的使用壽命。另外，在側(cè)面具有這種形狀時，顯示面板110上的顯示圖像看起來平滑地變化。因此，能夠很舒服地觀看圖像。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于這些。
[0076]在此，例如，顯示區(qū)域111的面積大于顯示區(qū)域116。例如，顯示區(qū)域111的一邊長度長于顯示區(qū)域116的一邊長度。因此，如圖1Bl和圖1B2所示，可以在殼體101的背面確保區(qū)域201。換言之，顯示區(qū)域116和區(qū)域201設(shè)置在殼體101的背面上。例如，在區(qū)域201中沒有設(shè)置顯示區(qū)域116。因此，能夠在區(qū)域201中配置具有各種功能的構(gòu)成要素。
[0077]例如，顯示區(qū)域116的面積為顯示區(qū)域111的面積的10%以上且90%以下。優(yōu)選的是，顯示區(qū)域116的面積例如為顯示區(qū)域111的面積的30%以上且70%以下。
[0078]例如，顯示區(qū)域116的一邊長度為顯示區(qū)域111的一邊長度的10%以上且90%以下。優(yōu)選的是，顯示區(qū)域116的一邊長度例如為顯示區(qū)域111的一邊長度的30%以上且70%以下。
[0079]注意，殼體101的表面(例如，正面、背面或側(cè)面)除了設(shè)置有顯示面板110之外還可以設(shè)置有硬件按鈕、外部連接端子、圖像傳感器、紅外線傳感器、麥克風(fēng)或揚聲器等。
[0080]雖然圖1A1、圖1A2示出將殼體101的一個側(cè)面用作顯示區(qū)域的情況，但也可以將顯示區(qū)域重疊于其他側(cè)面。
[0081 ] 例如，圖2A1和圖2A2示出還設(shè)置有顯示區(qū)域115的結(jié)構(gòu)實例。顯示區(qū)域115包括重疊于與顯示區(qū)域113相對的側(cè)面的區(qū)域。在此，圖2A1是示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖2A2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。圖2BI和圖2B2示出設(shè)置有區(qū)域201的情況。
[0082]作為其他例子，圖3A1和圖3A2示出顯示面板110包括顯示區(qū)域111、顯示區(qū)域116以及顯示區(qū)域112的結(jié)構(gòu)實例。在此，以包括與殼體101的側(cè)面之一重疊的區(qū)域的方式設(shè)置顯示區(qū)域112。在此，設(shè)置有顯示區(qū)域112的側(cè)面的一邊長度長于沒有設(shè)置顯示區(qū)域112的側(cè)面(例如，在圖1Al中設(shè)置有顯示區(qū)域113的側(cè)面)的一邊長度。例如，設(shè)置有顯示區(qū)域112的側(cè)面的面積大于沒有設(shè)置顯示區(qū)域112的側(cè)面。即，例如，設(shè)置有顯示區(qū)域112的側(cè)面是平行于長軸方向的面，且是垂直于短軸方向的面。在此，圖3A1是示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖3A2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。圖3BI和圖3B2示出設(shè)置有區(qū)域201的情況。
[0083]再者，作為其他例子，圖4A1和圖4A2示出還設(shè)置有包括具有重疊于與顯示區(qū)域112相對的側(cè)面的區(qū)域的顯示區(qū)域114的情況的結(jié)構(gòu)實例。在此，圖4A1是示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖4A2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。圖4B1和圖4B2示出設(shè)置有區(qū)域201的情況。
[0084]作為其他例子，圖5A至圖5C示出顯示面板110包括顯示區(qū)域111、顯示區(qū)域116、顯示區(qū)域112以及顯示區(qū)域113的情況的結(jié)構(gòu)實例。在此，以包括與殼體101的側(cè)面之一重疊的區(qū)域的方式設(shè)置顯示區(qū)域112。以包括與殼體101的其他側(cè)面之一重疊的區(qū)域的方式設(shè)置顯示區(qū)域113。在此，例如，設(shè)置有顯示區(qū)域112的側(cè)面的一邊長度長于設(shè)置有顯示區(qū)域113的側(cè)面的一邊長度。例如，設(shè)置有顯示區(qū)域112的側(cè)面的面積大于設(shè)置有顯示區(qū)域113的側(cè)面。在此，圖5A示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖的例子，圖5B示出其背面一側(cè)的透視示意圖的例子。圖5C示出不同于圖5B的例子。圖6A至圖6C示出設(shè)置有區(qū)域201的情況。
[0085]通過采用這種結(jié)構(gòu)，不僅能夠在平行于殼體的正面的面上進行顯示，還能夠在殼體的側(cè)面及背面上進行顯示。尤其優(yōu)選沿著殼體的兩個以上的側(cè)面設(shè)置顯示區(qū)域，因為顯/Jn的多樣性得到提尚。
[0086]既可將沿著殼體101正面配置的顯示區(qū)域111、沿著殼體101背面配置的顯示區(qū)域116以及沿著殼體101側(cè)面配置的各顯示區(qū)域用作各自獨立的顯示區(qū)域而顯示不同的圖像等，又可在上述顯示區(qū)域中的兩個以上的顯示區(qū)域上顯示一個圖像等。例如，也可以在沿著殼體101正面配置的顯示區(qū)域111、沿著殼體101側(cè)面設(shè)置的顯示區(qū)域112、沿著殼體101背面設(shè)置的顯示區(qū)域116等上顯示連續(xù)的圖像。
[0087]例如，也可以在沿著殼體101正面設(shè)置的顯示區(qū)域111上顯示文字數(shù)據(jù)或多個與應(yīng)用程序等有關(guān)聯(lián)的圖標等。也可以在顯不區(qū)域112上顯不與應(yīng)用程序等有關(guān)聯(lián)的圖標等。
[0088]另外，可以使文字數(shù)據(jù)等在沿著殼體101側(cè)面設(shè)置跨多個顯示區(qū)域(例如，顯示區(qū)域113和顯示區(qū)域112)中滾動(移動)地進行顯示?；蛘?，也可以使文字數(shù)據(jù)等跨沿著正面、側(cè)面、背面的顯示區(qū)域滾動(移動)地進行顯示。如此，在殼體的兩個以上的面中進行顯示，可以與電子設(shè)備的方向無關(guān)地防止例如在接電話時等使用者忽略所顯示的信息。
[0089]另外，例如在接電話或接收文字消息時等時，除了可以在顯示區(qū)域111上之外還可以在顯示區(qū)域116、顯示區(qū)域112等沿著側(cè)面設(shè)置的顯示區(qū)域等上顯示發(fā)信者的信息(例如，發(fā)信者的姓名、電話號碼、郵件地址等)。例如，也可以在接收文字消息時在顯示區(qū)域112和顯示區(qū)域113中流動地顯示發(fā)信者的信息。
[0090]圖7A和圖7B示出電子設(shè)備的使用狀態(tài)的例子。在圖7A中，在顯示區(qū)域111上顯示出多個圖標121，通過顯示區(qū)域112上顯示出滑動條125。在用手指126等觸摸滑動條125以將滑動條上下移動，如圖7B所示那樣的顯示在顯示區(qū)域111上的圖標121等的顯示內(nèi)容與此對應(yīng)而上下移動。圖7A和圖7B示出通過用手指126往下滑動滑動條125多個圖標121等圖像在顯示區(qū)域111至顯示區(qū)域113中往上方滑動的情況。
[0091]雖然在這里示出顯示在顯示區(qū)域111的圖像為圖標的情況，但本發(fā)明的一個方式不局限于此，可以根據(jù)所啟動的應(yīng)用程序而用手指等滑動滑動條125來顯示各種信息諸如文件、靜態(tài)圖像或動態(tài)圖像?；瑒訔l125的位置不局限于顯示區(qū)域112，滑動條125還可以配置于顯示區(qū)域111、顯示區(qū)域113、顯示區(qū)域114或顯示區(qū)域116等上。
[0092]也可以在不使用電子設(shè)備的待機時間內(nèi)，在關(guān)閉沿著殼體101正面設(shè)置的顯示區(qū)域111及/或沿著背面設(shè)置的顯示區(qū)域116的顯示(例如，進行黑色顯示)而僅在沿著側(cè)面設(shè)置的顯示區(qū)域112等上顯示信息的狀態(tài)下，切換顯示狀態(tài)。通過不進行與其他區(qū)域相比面積大的顯示區(qū)域111或顯示區(qū)域116的顯示，能夠降低待機時的功耗?；蛘撸c此相反，僅在顯示區(qū)域111進行顯示而在顯示區(qū)域116和側(cè)面的顯示區(qū)域等中的至少一個顯示區(qū)域不進行顯示，由此也能夠降低使用時的功耗。
[0093]或者，也可以僅在沿著殼體101正面設(shè)置的顯示區(qū)域111、沿著殼體101背面設(shè)置的顯示區(qū)域116、沿著殼體101側(cè)面設(shè)置的顯示區(qū)域112等的一部分顯示信息。例如，僅在顯示區(qū)域111和顯示區(qū)域116進行顯示，并在沿著側(cè)面設(shè)置的顯示區(qū)域112等中關(guān)閉顯示。
[0094]另外，優(yōu)選的是，與顯示面板110重疊的位置，具體為與各顯示區(qū)域重疊的區(qū)域包括觸摸傳感器等輸入裝置。作為觸摸傳感器，例如與顯示面板110重疊地設(shè)置薄片狀的靜電電容式觸摸傳感器，即可?；蛘?，可以使用使顯示面板110本身具有觸摸傳感器功能的所謂In-Cell式觸摸傳感器。此時，可以說顯示面板110除了具有顯示功能之外，還具有觸摸傳感器的功能。作為In-Cell式觸摸面板，既可以使用靜電電容式觸摸傳感器，又可以使用利用光電轉(zhuǎn)換元件的光學(xué)式觸摸傳感器?；蛘撸梢栽陲@示面板110的對置襯底(沒有設(shè)置晶體管等的襯底)上使用具有觸摸傳感器功能的所謂On-Cell式觸摸傳感器。在此情況下也可以說，顯示面板110除了具有顯示功能之外，還具有觸摸傳感器的功能?；蛘?，可以使用使設(shè)置于殼體101的最表面上且保護顯示面板免受損傷等的覆蓋物或覆蓋玻璃具有觸摸傳感器功能的所謂的與覆蓋物一體成型觸摸面板?；蛘?，可以使用使顯示面板110所包括的光學(xué)薄膜具有觸摸傳感器功能的觸摸傳感器。
[0095]例如，優(yōu)選在顯示面板110能夠進行顯示的區(qū)域整體設(shè)置有觸摸傳感器等輸入裝置。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于此。例如，也可以在顯示區(qū)域111、顯示區(qū)域112、顯示區(qū)域113、顯示區(qū)域114、顯示區(qū)域115、顯示區(qū)域116的一部分或全部中包括沒有設(shè)置觸摸傳感器等輸入裝置的區(qū)域。例如，也可以在顯示區(qū)域116的一部分或全部中包括沒有設(shè)置觸摸傳感器等輸入裝置的區(qū)域?；蛘?，也可以在顯示區(qū)域112的一部分或全部和顯示區(qū)域114的一部分或全部中包括沒有設(shè)置觸摸傳感器等輸入裝置的區(qū)域。如此，通過包括沒有設(shè)置觸摸傳感器的區(qū)域，能夠防止錯誤動作。另外，能夠使電子設(shè)備變得容易拿。
[0096]例如，優(yōu)選將顯示區(qū)域111、顯示區(qū)域112、顯示區(qū)域113、顯示區(qū)域114、顯示區(qū)域115或顯示區(qū)域116的觸摸操作的組合與應(yīng)用程序工作聯(lián)合起來。
[0097]以下，示出在顯示區(qū)域112、顯示區(qū)域113或顯示區(qū)域115的觸摸操作的組合與應(yīng)用程序工作之間建立關(guān)聯(lián)的例子。例如，當對三個顯示區(qū)域全部進行觸摸操作時，進行電源的0N/0FF工作。當對顯示區(qū)域112和顯示區(qū)域114同時進行觸摸操作時，在與文字消息有關(guān)聯(lián)的應(yīng)用程序啟動的同時顯示出文字消息的內(nèi)容。當對顯示區(qū)域112和顯示區(qū)域113同時進行觸摸操作時，使用來打電話的應(yīng)用程序啟動。當對顯示區(qū)域113和顯示區(qū)域114同時進行觸摸操作時，使瀏覽器啟動。
[0098]上述的觸摸操作與應(yīng)用程序之間的關(guān)聯(lián)是一個例子，優(yōu)選的是，操作系統(tǒng)或應(yīng)用軟件的開發(fā)者或者使用者可以適當?shù)卦O(shè)定關(guān)聯(lián)。
[0099]在觸摸顯示區(qū)域111的狀態(tài)下通過觸摸其他顯示區(qū)域的任何一個以上而使各應(yīng)用程序進行工作時，能夠抑制進行非意圖的工作。
[0100]如此，通過將多個區(qū)域的觸摸操作的組合與應(yīng)用程序的工作聯(lián)合起來，可以進行直覺性的工作，從而能夠得到人類用戶友好界面(user-friendly human interface)。
[0101]在本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備中，除了殼體正面之外，還能夠沿著一個以上的側(cè)面進行顯示，并且也能夠在殼體背面進行顯示。因此，與現(xiàn)有的電子設(shè)備相比能夠進行多種顯示表現(xiàn)。另外，在各顯示區(qū)域設(shè)置觸摸傳感器，因此與現(xiàn)有的電子設(shè)備相比，能夠進行各種操作，從而能夠得到可以進行更直覺性的操作的電子設(shè)備。
[0102]注意，雖然在此顯示了使用顯示面板110進行各種顯示的情況的例子，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。例如，根據(jù)情況或狀況，在本發(fā)明的一個方式中可以不顯示數(shù)據(jù)。作為一個例子，在本發(fā)明的一個方式中，可以將電子設(shè)備用作照明裝置而不用作顯示面板110。在本發(fā)明的一個方式中，通過將上述裝置用于照明裝置，能夠作為設(shè)計精美的室內(nèi)照明利用該照明裝置?；蛘?，在本發(fā)明的一個方式中，可以利用于能夠照射各種方向的照明?；蛘撸诒景l(fā)明的一個方式中，可以用作背光或前光等光源而不用作顯示面板110。換言之，在本發(fā)明的一個方式中可以用作用于顯示面板的照明裝置。
[0103]雖然在此示出了將殼體101的一個或兩個側(cè)面用作顯示區(qū)域的情況的例子，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。圖8A1和圖8A2示出一個例子。在此，圖8A1示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖的一個例子，圖8A2示出其背面一側(cè)的透視示意圖的一個例子。同樣地，圖8B1和圖8B2不出表不電子設(shè)備的正面一側(cè)和背面一側(cè)的透視不意圖的一個例子。圖9A1和圖9A2不出表不電子設(shè)備的正面一側(cè)和背面一側(cè)的透視不意圖的一個例子。圖9BI和圖9B2示出表示電子設(shè)備的正面一側(cè)和背面一側(cè)的透視示意圖的一個例子。
[0104]在這些情況下也同樣可以設(shè)置區(qū)域201。作為該情況的例子，圖1OAl和圖10A2示出表不電子設(shè)備的正面一側(cè)和背面一側(cè)的透視不意圖的一個例子。圖1OBl和圖10B2不出表不電子設(shè)備的正面一側(cè)和背面一側(cè)的透視不意圖的一個例子。圖1 IAl和圖11A2不出表不電子設(shè)備的正面一側(cè)和背面一側(cè)的透視不意圖的一個例子。圖1 IBl和圖11B2不出表不電子設(shè)備的正面一側(cè)和背面一側(cè)的透視示意圖的一個例子。
[0105]雖然本實施方式示出一個顯示面板110包括多個顯示區(qū)域的情況的例子，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。各顯示區(qū)域可以使用多個顯示面板形成。例如，顯示區(qū)域111和顯示區(qū)域116可以使用不同的顯示面板形成。圖12A1和圖12A2示出該情況的例子。在此，圖12A1是示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖12A2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。
[0106]本實施方式示出基本原理的一個例子。因此，可以將本實施方式的一部分或全部自由地組合于、應(yīng)用于或替換為其他實施方式的一部分或全部。
[0107]實施方式2
[0108]在本實施方式中，示出在區(qū)域201中配置圖像傳感器的情況的例子。在此，示出在圖1Bl和圖1B2的區(qū)域201中配置有圖像傳感器的例子。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于此。在各種其他附圖中，例如在圖2B1及圖2B2等中，也同樣可以在區(qū)域201中配置各種元件等。
[0109]首先，圖13A1是示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖13A2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。在區(qū)域201中設(shè)置有圖像傳感器202。圖像傳感器202具有能夠拍攝靜態(tài)圖像的功能。因此，圖像傳感器202具有照相機的功能。由此，圖像傳感器202有時包括鏡頭等光學(xué)部件。
[0110]如圖13B所示，通過將圖像傳感器202轉(zhuǎn)向拍攝對象205，可以拍攝靜態(tài)圖像或動態(tài)圖像等。此時，在顯示區(qū)域111上例如顯示有拍攝出拍攝對象205的圖像206?？梢栽陲@示區(qū)域111上實時地顯示拍攝對象205的狀態(tài)。在確認圖像206時，拍攝出拍攝對象205的靜態(tài)圖像或動態(tài)圖像。此時，在拍攝對象205的照度較低的情況下，例如，在顯示區(qū)域116上顯示照明用圖像204。從顯示有照明用圖像204的區(qū)域向拍攝對象205照射光。其結(jié)果，能夠提高拍攝對象205的照度。由此，能夠拍攝適當且清晰的圖像。
[0111]例如，照明用圖像204優(yōu)選為白色的圖像。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于此。通過改變照射用圖像204的顯示顏色，可以改變照射到拍攝對象205的光的顏色。其結(jié)果，能夠拍攝各種狀態(tài)的拍攝對象205的圖像。例如，在周圍的環(huán)境光稍微帶點紅色、藍色或綠色等的情況下，通過將照明用圖像204調(diào)整為合適的顏色，能夠拍攝適當?shù)膱D像。
[0112]通過改變照明用圖像204的顯示顏色，也可以多次拍攝拍攝對象205的圖像。例如，在照明用圖像204的顯示顏色為白色、白熾燈色或日光白色的情況下分別拍攝圖像。并且，通過對這些圖像進行處理，能夠得到適當?shù)呐臄z圖像。
[0113]例如，照明用圖像204優(yōu)選在其整個表面具有相同的顏色或灰度。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于此?？梢栽O(shè)置多個區(qū)域，并將顏色不同的圖像用于該每個區(qū)域中。
[0114]接著，作為其他例子，圖14A1和圖14A2示出在區(qū)域201中配置有圖像傳感器202以及照明元件203的情況的例子。
[0115]在此，圖14A1是示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖14A2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。如圖14B所示，通過將圖像傳感器202和照明元件203轉(zhuǎn)向拍攝對象205，可以拍攝靜態(tài)圖像或動態(tài)圖像等。此時，例如在顯示區(qū)域111上顯示有拍攝出拍攝對象205的圖像206?？梢栽陲@示區(qū)域111上實時地顯示拍攝對象205的狀態(tài)。在確認圖像206時，拍攝拍攝對象205的靜態(tài)圖像或動態(tài)圖像。此時，例如在顯示區(qū)域116上也顯示有拍攝出拍攝對象205的圖像207。其結(jié)果，拍攝對象205可以邊看圖像207邊確認自己被拍成什么樣子。由此，能夠以適當?shù)慕嵌扰臄z圖像。
[0116]圖像206和圖像207在不同的顯示區(qū)域中顯示。所以，所顯示的各圖像的大小、分辨率等有時互不相同。因此，還可以說圖像206和圖像207是不同的圖像。注意，圖像206和圖像207也可以具有相同的大小及相同的分辨率。
[0117]在拍攝對象205的照度較低的情況下，從照明元件203向拍攝對象205照射光。其結(jié)果，能夠提高拍攝對象205的照度。由此，能夠拍攝適當且清晰的圖像。
[0118]例如，照明元件203優(yōu)選發(fā)射白色光。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于此。通過改變照明元件203的發(fā)光顏色，可以改變照射到拍攝對象205的光的顏色。其結(jié)果，能夠拍攝各種狀態(tài)的拍攝對象205。例如，在周圍的環(huán)境光稍微帶點紅色、藍色或綠色等的情況下，將照明元件203的發(fā)光顏色分別調(diào)整為合適的顏色，因此能夠拍攝適當?shù)膱D像。
[0119]通過改變照明元件203的發(fā)光顏色，也可以多次拍攝拍攝對象205的圖像。例如，在照明元件203的發(fā)光顏色為白色、白熾燈色或日光白色的情況下分別拍攝圖像。并且，通過對這些圖像進行處理，能夠得到適當?shù)呐臄z圖像。
[0120]例如，照明元件203優(yōu)選具有同一顏色或灰度級。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于此。這里，也可以設(shè)置分別發(fā)射不同顏色的光的多個照明元件203。
[0121 ] 雖然在圖14A2中顯示圖像207，但如圖15A所示，還可以顯示照明用圖像204，并且根據(jù)情況，如圖15B所示，也可以顯示照明用圖像204而不顯示圖像207。通過利用來自照明用圖像204的光和來自照明元件203的光，可以提高亮度或改變照明光的顏色。即，也可以將照明元件203及照明用圖像204用作多個照明元件。
[0122]雖然在此示出了利用顯示區(qū)域111和顯示區(qū)域116的情況的例子，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。本發(fā)明的一個方式還能夠利用其他的顯示區(qū)域。
[0123]例如，也可以在顯示區(qū)域113上顯示圖標208。圖16A1和圖16A2示出這種情況的例子。在此，圖16A1是示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖16A2是示出背面一側(cè)的透視不意圖。圖16B1和圖16B2不出同樣的例子。在此，圖16B1是不出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖16B2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。
[0124]例如，圖標208具有快門按鈕的功能。通過觸摸圖標208，能夠拍攝圖像?；蛘撸ㄟ^觸摸圖標208，能夠調(diào)整焦距。
[0125]雖然在此圖標208具有快門按鈕的功能，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。也可以通過設(shè)置專用的硬件如快門按鈕等來得到快門功能。
[0126]例如，也可以在顯示區(qū)域112上顯示圖標209。圖17A1和圖17A2示出這種情況的例子。在此，圖17A1是示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖17A2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。
[0127]在此，例如，圖標209具有滑動條的功能。通過移動滑動條，能夠進行拍攝時的圖像的放大或縮小。即，能夠控制變焦功能。此時，通過在光學(xué)上控制圖像傳感器202所具有的鏡頭或通過軟件控制數(shù)字圖像來控制圖像的放大或縮小。因此，在拍攝圖像之前，通過移動圖標209的滑動條，能夠控制以多大倍率進行拍攝。
[0128]雖然在此使用圖標209來得到變焦功能，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。也可以通過設(shè)置專門的硬件如操作按鈕等來得到變焦功能。
[0129]注意，也可以在相同的顯示區(qū)域(例如，顯示區(qū)域112)上顯示圖標208和圖標209。此外，在每個顯示區(qū)域中還可以顯示各種圖標、文字、圖像等。
[0130]在設(shè)置有區(qū)域201的情況下，可以在較大的區(qū)域中配置圖像傳感器202或照明元件203。因此，例如，可以在圖像傳感器202中設(shè)置較大的鏡頭等。或者，也可以配置較大的圖像傳感器202。由此，能夠拍攝清晰且分辨率高的圖像。
[0131]雖然在此示出了圖像傳感器202及照明元件203設(shè)置于區(qū)域201中的情況的例子，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。例如，也可以在區(qū)域201之外的區(qū)域設(shè)置圖像傳感器202或照明元件203。圖18A1和圖18A2示出這種情況的例子。在此，圖18A1是示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖18A2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。同樣地，圖18B1和圖18B2示出其他的例子。在此，圖18B1是示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖18B2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。
[0132]另外，也可以配置多個圖像傳感器202。至少一個圖像傳感器202可以配置于區(qū)域201中?；蛘?，所有圖像傳感器202可以配置于區(qū)域201之外的區(qū)域。
[0133]注意，雖然示出設(shè)置有區(qū)域201的情況的例子，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。根據(jù)情況或狀況，不一定需要設(shè)置區(qū)域201。此時，例如，顯示區(qū)域111的面積與顯示區(qū)域116的面積大致相同。圖19A1和圖19A2;^;出這種情況的例子。在此，圖19A1是不出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖19A2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。同樣地，圖19B1和圖19B2示出其他的例子。在此，圖19B1是示出電子設(shè)備的正面一側(cè)的透視示意圖，圖19B2是示出背面一側(cè)的透視示意圖。
[0134]這種攝像工作既可以在運行實現(xiàn)照相機功能的軟件時進行，又可以作為實現(xiàn)其他功能的軟件的一部分進行。例如，該攝像工作也可以在運行實現(xiàn)可視電話的功能的軟件時進行。
[0135]這些功能可以通過軟件或硬件實現(xiàn)。在通過軟件實現(xiàn)的情況下，既可以從電腦上下載到電子設(shè)備，又可以通過有線或無線的電信線路下載到電子設(shè)備。或者，也可以最初已經(jīng)在電子設(shè)備所包括的存儲裝置中儲存有軟件。
[0136]本實施方式對其他實施方式的一部分或全部進行更改、追加、修正、刪除、應(yīng)用、上位概念化或下位概念化而得到。因此，可以將本實施方式的一部分或全部自由地組合于、應(yīng)用于或替換為其他實施方式的一部分或全部。
[0137]實施方式3
[0138]本實施方式示出在區(qū)域201中配置各種構(gòu)成要素的情況的例子。雖然在此示出了在圖1Bl和圖1B2的區(qū)域201中配置有各種構(gòu)成要素的情況的例子，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。在各種不同附圖如圖2B1和圖2B2等中，也同樣可以在區(qū)域201中配置各種元件等。也可以在區(qū)域201等中配置如實施方式2所示那樣的構(gòu)成要素。
[0139]首先，作為一個例子，圖20示出在區(qū)域201中設(shè)置有電池401的情況的例子。圖20是示出電子設(shè)備的背面一側(cè)的透視示意圖。圖20示出從殼體101拆下蓋子而將電池401拿出來的情況。在將電池401組裝于殼體101中的情況下，將蓋子蓋到電池401上以防止電池401掉下去。如此，通過將電池401配置于區(qū)域201中，能夠使換電池401的動作變得容易。
[0140]雖然在圖20中電池401可以拆卸，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。根據(jù)情況或狀況，也可以不設(shè)置蓋子而不能拆卸電池401。在此情況下，雖然在區(qū)域201中設(shè)置有電池401，但沒有顯示區(qū)域，因此可以將電池401形成得厚。由此，可以增大電池401的容量。
[0141]接著，作為其他例子，圖21示出在區(qū)域201中設(shè)置有接收單元402的情況的例子。作為接收單元402，可以舉出天線、線圈、電極等。圖21是示出電子設(shè)備的背面一側(cè)的透視示意圖。圖21示出在殼體101的內(nèi)部設(shè)置有接收單元402而通過無線與通信設(shè)備403進行通信的情況。例如，可以將接收單元402用作近場通信(NFC:Near Field Communicat1n)用天線。通過使用NFC，能夠?qū)崿F(xiàn)電子貨幣或信用卡等的功能。在此情況下，區(qū)域201以不與顯示區(qū)域116重疊的方式設(shè)置。例如，觸摸傳感器也沒有在區(qū)域201中設(shè)置。所以，不會由觸摸傳感器或顯示面板等干擾電波、磁力、電磁波等，從而能夠有效地利用接收單元402。
[0142]接收單元402還可以具有發(fā)送功能而非接收功能。或者，接收單元402可以具有接收功能和發(fā)送功能的兩個功能。例如，接收單元402只要可以接收或發(fā)送信息、能量等即可而沒有限制。
[0143]接收單元402除了用于NFC之外，還可以用于電視、電話、藍牙、近距離通信等各種用途。另外，接收單元402也可以用作用來對電子設(shè)備充電的單元。例如，通過使用線圈或天線等，可以以無線對電子設(shè)備充電。
[0144]接著，作為其他例子，圖22示出在區(qū)域201中設(shè)置有揚聲器404、揚聲器405的情況的例子。圖22是示出電子設(shè)備的背面一側(cè)的透視示意圖。圖22示出在殼體101中設(shè)置有揚聲器404和揚聲器405的情況。作為一個例子，揚聲器404可以放出左耳用聲音，揚聲器405可以放出右耳用聲音?？梢栽趨^(qū)域201中分開配置揚聲器404和揚聲器405。因此，能夠放出具有立體感的聲音。
[0145]本實施方式對其他實施方式的一部分或全部進行更改、追加、修正、刪除、應(yīng)用、上位概念化或下位概念化而得到。因此，可以將本實施方式的一部分或全部自由地組合于、應(yīng)用于或替換為其他實施方式的一部分或全部。
[0146]實施方式4
[0147]在本實施方式中，示出可以通過將顯示面板(顯示裝置)或電子設(shè)備彎曲或折疊以使其變形為各種形狀而使用的情況的例子。首先，參照圖23A至圖23C進行說明。
[0148]圖23A示出使顯示面板110展開的模式(第一模式)的電子設(shè)備150。圖23C示出使顯示面板110折疊的模式(第二模式)的電子設(shè)備150。圖23B示出使顯示面板110彎折的模式的電子設(shè)備150。換言之，圖23B示出從使顯示面板110展開的模式(第一模式)和使顯示面板110折疊的模式(第二模式)之中的一個模式變成另一個模式的中途模式的電子設(shè)備150。在圖23B和圖23C中，以能看到其外側(cè)的方式使顯示面板110折疊。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于此。也可以以顯示面板110被藏在內(nèi)側(cè)的方式使顯示面板110折疊。
[0149]圖23A至圖23C所示的電子設(shè)備150包括具有柔性的顯示面板110。電子設(shè)備150還包括多個支撐面板153a、多個支撐面板155a以及多個支撐面板155b。
[0150]支撐面板153a例如使用其柔性比顯示面板110低的材料(S卩，不容易彎曲的材料)形成。另外，支撐面板155a及支撐面板155b例如使用其柔性比支撐面板153a低的材料(SP，不容易彎曲的材料)形成。如圖23A至圖23C所示，在顯示面板110的外周及與顯示面板110的顯示部相對的面中優(yōu)選配置支撐面板，因為顯示面板110的機械強度得到提高，從而不易損壞。
[0151]另外，當使用具有遮光性的材料形成支撐面板153a、支撐面板155a及支撐面板155b時，能夠抑制外光照射到顯示面板110的驅(qū)動電路部。由此，能夠抑制用于驅(qū)動電路部的晶體管等的光劣化。
[0152]雖然在圖23A至圖23C中未圖示，電子設(shè)備150的運算部、存儲部及檢測部等可以配置于顯示面板110與支撐面板155b之間。
[0153]支撐面板153a、支撐面板155a以及支撐面板155b可以使用塑料、金屬、合金、橡膠等作為材料形成。優(yōu)選使用塑料或橡膠等，因為可以形成輕量且不易損壞的支撐面板。例如，作為支撐面板153a、支撐面板155a及支撐面板155b，可以使用硅橡膠、不銹鋼或鋁。
[0154]另外，在電子設(shè)備150中，包括具有柔性的顯示部的顯示面板110可以向內(nèi)折疊或向外折疊。當不使用電子設(shè)備150時，通過以顯示面板110位于內(nèi)側(cè)的方式彎曲，能夠抑制顯示面板110損傷或被弄臟。
[0155]在此，例如，如圖23A所示，在顯示面板110附近設(shè)置有區(qū)域201。因此，例如，與其他實施方式同樣地，顯示區(qū)域111的面積大于顯示區(qū)域116。在區(qū)域201中可以與其他實施方式同樣地配置各種構(gòu)成要素。
[0156]在此，圖24A和圖24B示出如圖23C所示那樣使顯示面板折疊的情況。圖24A示出正面的例子，圖24B示出背面的例子。例如，在區(qū)域201中配置有圖像傳感器202及照明元件203。在顯示區(qū)域111中例如顯示有圖像206。在顯示區(qū)域116中例如顯示有圖像207。圖24C示出在顯示區(qū)域112上例如顯示有圖標208、圖標209的情況。如圖24C至圖24E所示，通過移動滑動條，能夠控制放大或縮小等的變焦功能。
[0157]雖然圖23A至圖23C示出設(shè)置有區(qū)域201的情況，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。例如，圖25A至圖25C示出沒有設(shè)置區(qū)域201的情況。同樣地，圖26A和圖26B示出使顯示面板折疊的情況。圖26B所示的狀態(tài)也可以為圖26C或圖26D等所示的狀態(tài)。
[0158]雖然圖23A至圖23C示出有一個折疊地點的情況，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。本發(fā)明的一個方式可以有多個折疊地點。例如，圖27A示出有三個折疊地點的情況的例子。例如，圖27B示出有四個折疊地點的情況的例子。在這些情況下也同樣可以不設(shè)置區(qū)域201。圖27C示出這種情況的例子。
[0159]本實施方式對其他實施方式的一部分或全部進行更改、追加、修正、刪除、應(yīng)用、上位概念化或下位概念化而得到。因此，可以將本實施方式的一部分或全部自由地組合于、應(yīng)用于或替換為其他實施方式的一部分或全部。
[0160]實施方式5
[0161]在本實施方式中，參照圖28A至28C說明可用于本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備的觸摸面板的結(jié)構(gòu)。
[0162]圖28A是說明可用于本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備的觸摸面板的結(jié)構(gòu)的正面圖。
[0163]圖28B是沿圖28A的切割線A-B以及切割線C-D的截面圖。
[0164]圖28C是沿圖28A的切割線E-F的截面圖。
[0165]〈正面圖〉
[0166]在本實施方式中例示出的觸摸面板300具有顯示部301(參照圖28A)。
[0167]顯示部301具備多個像素302以及多個成像像素308。成像像素308可以檢測出觸摸到顯示部301的手指等。如此，可以使用成像像素308形成觸摸傳感器。
[0168]每個像素302具備多個子像素(例如子像素302R)。此外，在該子像素中設(shè)置有發(fā)光元件及能夠供應(yīng)用來驅(qū)動該發(fā)光元件的電力的像素電路。
[0169]像素電路與能夠供應(yīng)選擇信號的布線以及能夠供應(yīng)圖像信號的布線電連接。
[0170]另外，觸摸面板300具備能夠向像素302供應(yīng)選擇信號的掃描線驅(qū)動電路303g(l)及能夠向像素302供應(yīng)圖像信號的圖像信號線驅(qū)動電路303s(l)。
[0171]成像像素308具備光電轉(zhuǎn)換元件以及用來驅(qū)動光電轉(zhuǎn)換元件的成像像素電路。
[0172]成像像素電路與能夠供應(yīng)控制信號的布線以及能夠供應(yīng)電源電位的布線電連接。
[0173]控制信號的例子包括能夠選擇用來讀出所記錄的成像信號的成像像素電路的信號、能夠使成像像素電路初始化的信號以及能夠決定成像像素電路檢測光的時間的信號等。
[0174]觸摸面板300設(shè)置有能夠向成像像素308供應(yīng)控制信號的成像像素驅(qū)動電路303g
(2)以及讀出成像信號的成像信號線驅(qū)動電路303s(2)。
[0175]〈截面圖〉
[0176]觸摸面板300具有襯底310以及與襯底310相對的對置襯底370(參照圖28B)。
[0177]襯底310是層疊有具有柔性的襯底310b、用來防止非意圖的雜質(zhì)向發(fā)光元件擴散的阻擋膜310a以及用來貼合襯底310b與阻擋膜310a的粘合層310c的疊層體。
[0178]對置襯底370是層疊有具有柔性的襯底370b、用來防止非意圖的雜質(zhì)向發(fā)光元件擴散的阻擋膜370a以及用來貼合襯底370b與阻擋膜370a的粘合層370c的疊層體(參照圖28B)。
[0179]密封劑360貼合對置襯底370與襯底310。密封劑360具有高于大氣的折射率，且兼作光學(xué)粘合層。像素電路及發(fā)光元件(例如發(fā)光元件350R)設(shè)置在襯底310與對置襯底370之間。
[0180]《像素的結(jié)構(gòu)》
[0181]每個像素302具有子像素302R、子像素302G以及子像素302B(參照圖28C)。子像素302R具備發(fā)光模塊380R，子像素302G具備發(fā)光模塊380G，子像素302B具備發(fā)光模塊380B。
[0182]例如，子像素302R具備發(fā)光元件350R以及能夠向發(fā)光元件350R供應(yīng)電力且包括晶體管302t的像素電路(參照圖28B)。另外，發(fā)光模塊380R具備發(fā)光元件350R以及光學(xué)元件(例如著色層367R)。
[0183]發(fā)光元件350R包括下部電極351R、上部電極352以及下部電極351R與上部電極352之間的包含發(fā)光有機化合物的層353 (參照圖28C)。
[0184]包含發(fā)光有機化合物的層353包括發(fā)光單元353a、發(fā)光單元353b以及發(fā)光單元353a與發(fā)光單元353b之間的中間層354。
[0185]發(fā)光模塊380R在對置襯底370上包括著色層367R。著色層只要是可以使具有特定波長的光透過即可，例如可以使用選擇性地使呈現(xiàn)紅色、綠色或藍色等的光透過的著色層。注意，也可以設(shè)置使從發(fā)光元件發(fā)射的光透過的區(qū)域。
[0186]例如，發(fā)光模塊380R具有與發(fā)光元件350R及著色層367R接觸的密封劑360。
[0187]著色層367R位于與發(fā)光元件350R重疊的位置。由此，從發(fā)光元件350R發(fā)射的光的一部分透過兼作光學(xué)粘合層的密封劑360及著色層367R，而向圖28B和圖28C中的箭頭所示的方向發(fā)射到發(fā)光模塊380R的外部。
[0188]注意，雖然在此示出了作為顯示元件使用發(fā)光元件的情況，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此。
[0189]例如，在本說明書等中，顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發(fā)光元件以及作為具有發(fā)光元件的裝置的發(fā)光裝置可以采用各種方式或具有各種元件。顯示元件、顯示裝置、發(fā)光元件或發(fā)光裝置的例子包括對比度、亮度、反射率、透射率等因電磁作用而產(chǎn)生變化的顯示媒體，諸如EL(電致發(fā)光)元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、晶體管(根據(jù)電流發(fā)光的晶體管)、電子發(fā)射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、光柵光閥(GLV)、等離子體顯示器(PDP)、使用微電子機械系統(tǒng)(MEMS)的元件、數(shù)字微鏡設(shè)備(DMD)、數(shù)碼微快門(DMS)、MIRAS0L(在日本注冊的商標)、干涉調(diào)制顯示器(IMOD)元件、快門方式MEMS顯示元件、光干涉方式MEMS顯示元件、電濕潤(electrowetting)元件、壓電陶瓷顯示器、碳納米管等。使用EL元件的顯示裝置的例子包括EL顯示器。使用電子發(fā)射元件的顯示裝置的例子包括場致發(fā)射顯不器(FED)或SED方式平面型顯不器(SED: Surface-conduct1n Electron-emitterDisplay:表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器)。使用液晶元件的顯示裝置的例子包括液晶顯示器(例如透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)。使用電子墨水或電泳元件的顯示裝置包括電子紙等。在實現(xiàn)半透過型液晶顯示器或反射型液晶顯示器的情況下，使像素電極的一部分或全部具有反射電極的功能，即可。例如，像素電極的一部分或全部具有鋁、銀等，即可。此時也可以將SRAM等存儲電路設(shè)置在反射電極下。因而，進一步降低功耗。
[0190]《觸摸面板的結(jié)構(gòu)》
[0191]觸摸面板300在對置襯底370上包括遮光層367BM。以包圍著色層(例如著色層367R)的方式設(shè)置有遮光層367BM。
[0192]觸摸面板300具備位于與顯示部301重疊的位置上的反射防止層367p。作為反射防止層367p，例如可以使用圓偏振片。
[0193]觸摸面板300具備絕緣膜321。該絕緣膜321覆蓋晶體管302t。注意，可以將絕緣膜321用作使起因于像素電路的凹凸平坦化的層。可以將層疊有能夠抑制雜質(zhì)向晶體管302t等擴散的層的絕緣膜用于絕緣膜321。
[0194]觸摸面板300在絕緣膜321上包括發(fā)光元件(例如發(fā)光元件350R)。
[0195]觸摸面板300在絕緣膜321上具有與下部電極351R端部重疊的分隔壁328(參照圖28C)。另外，在分隔壁328上設(shè)置有用來控制襯底310與對置襯底370的間隔的間隔物329。
[0196]《圖像信號線驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)》
[0197]圖像信號線驅(qū)動電路303s(l)包括晶體管303t以及電容器303c。注意，可以通過與像素電路相同的工序在相同的襯底上形成驅(qū)動電路。如圖28B所示，晶體管303t也可以在絕緣膜321上包括第二柵極。第二柵極可以與晶體管303t的柵極電連接，或者，這些柵極也可以被施加不同的電位。若需要則可以在晶體管308t、晶體管302t等中設(shè)置第二柵極。
[0198]《成像像素的結(jié)構(gòu)》
[0199]成像像素308具備光電轉(zhuǎn)換元件308p以及用來檢測照射到光電轉(zhuǎn)換元件308p的光的成像像素電路。成像像素電路包括晶體管3081。
[0200]例如，可以將pin型光電二極管用于光電轉(zhuǎn)換元件308p。
[0201]《其他結(jié)構(gòu)》
[0202]觸摸面板300具備能夠供應(yīng)信號的布線311。布線311設(shè)置有端子319。注意，能夠供應(yīng)圖像信號或同步信號等信號的FPC309 (I)電連接于端子319。
[0203]注意，F(xiàn)PC309 (I)也可以安裝有印刷線路板(PWB)。
[0204]將通過相同的工序形成的晶體管可用于晶體管302t、晶體管303t、晶體管308t等。
[0205]作為晶體管的結(jié)構(gòu)，可以采用底柵型、頂柵型等的晶體管。
[0206]作為晶體管的柵極、源極及漏極、觸摸面板所包括的布線或電極，可以使用鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢的金屬或者以上述金屬為主要成分的合金的單層或疊層。例如，可以舉出包含硅的鋁膜的單層結(jié)構(gòu)、在鈦膜上層疊鋁膜的雙層結(jié)構(gòu)、在鎢膜上層疊鋁膜的兩層結(jié)構(gòu)、在銅-鎂-鋁合金膜上層疊銅膜的兩層結(jié)構(gòu)、在鈦膜上層疊銅膜的兩層結(jié)構(gòu)、在鎢膜上層疊銅膜的兩層結(jié)構(gòu)、依次層疊鈦膜或氮化鈦膜、鋁膜或銅膜和鈦膜或氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)、依次層疊鉬膜或氮化鉬膜、鋁膜或銅膜和鉬膜或氮化鉬膜的三層結(jié)構(gòu)等。注意，可使用包含氧化銦、氧化錫或氧化鋅的透明導(dǎo)電材料。優(yōu)選使用包含錳的銅，因為蝕刻時的形狀控制性得到提高。
[0207]例如，優(yōu)選將硅用于形成有晶體管302t、晶體管303t、晶體管308t等晶體管的溝道的半導(dǎo)體。雖然作為硅也可以使用非晶硅，但尤其優(yōu)選使用具有結(jié)晶性的硅。例如，優(yōu)選使用微晶硅、多晶硅、單晶硅等。尤其是多晶硅與單晶硅相比可以在低溫下形成，且與非晶硅相比具有高場效應(yīng)迀移率以及高可靠性。通過將這種多晶半導(dǎo)體用于像素，可以提高像素的開口率。即便在包括分辨率極高的像素的情況下，也能夠與像素在相同的襯底上形成柵極驅(qū)動電路以及源極驅(qū)動電路，從而能夠減少電子設(shè)備所包括的部件數(shù)量。
[0208]在此，用于顯示面板110中的各顯示區(qū)域所包括的像素或者各驅(qū)動電路的晶體管等半導(dǎo)體裝置優(yōu)選使用氧化物半導(dǎo)體。尤其優(yōu)選包括其帶隙大于硅的氧化物半導(dǎo)體。優(yōu)選使用帶隙比硅大且載流子密度比硅小的半導(dǎo)體材料，因為可以降低晶體管的截止狀態(tài)(of f-s tat e)下的電流。
[0209]例如，上述氧化物半導(dǎo)體優(yōu)選至少包含銦(In)或鋅(Zn)。更優(yōu)選的是，該氧化物半導(dǎo)體包含以In-M-Zn類氧化物(M是諸如Al、T1、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金屬)表示的氧化物。
[0210]尤其作為半導(dǎo)體層，優(yōu)選使用如下氧化物半導(dǎo)體膜:具有多個結(jié)晶部，該結(jié)晶部的c軸朝向垂直于形成有半導(dǎo)體層的表面或半導(dǎo)體層的頂面的方向，并且在相鄰的結(jié)晶部間不具有晶粒邊界。
[0211]在這種氧化物半導(dǎo)體中，由于不具有晶粒邊界，所以抑制在使顯示面板彎曲時引起的應(yīng)力而在氧化物半導(dǎo)體膜中產(chǎn)生裂縫。因此，可以將這種氧化物半導(dǎo)體適用于在彎曲狀態(tài)下使用的柔性顯示面板等。
[0212]通過作為半導(dǎo)體層使用上述材料，可以實現(xiàn)電特性變動得到抑制且可靠性高的晶體管。
[0213]由于晶體管的截止態(tài)電流(off-statecurrent)較低，因此能夠長期間保持經(jīng)過晶體管儲存于電容器中的電荷。當將這種晶體管用于像素時，能夠在保持各顯示區(qū)域所顯示的圖像的灰度的狀態(tài)下，停止驅(qū)動電路的工作。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)功耗極低的電子設(shè)備。
[0214]注意，關(guān)于可用于半導(dǎo)體層的氧化物半導(dǎo)體的優(yōu)選方式及其形成方法，將在后面的實施方式進行詳細的說明。
[0215]在此，對柔性發(fā)光面板的形成方法進行說明。
[0216]在此為了方便起見，將包括像素及驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)或者包括濾色片等光學(xué)構(gòu)件的結(jié)構(gòu)稱為元件層。元件層例如包括顯示元件，除此之外還可以包括與顯示元件電連接的布線、用于像素或電路的晶體管等元件。
[0217]在此，將形成有元件層的絕緣表面的支撐體稱為基材。
[0218]作為在具有絕緣表面的柔性基材上形成元件層的方法，可以舉出在基材上直接形成元件層的方法；以及在不同于基材的具有剛性的支撐基材上形成元件層之后將元件層從支撐基材剝離而將元件層轉(zhuǎn)置到基材上的方法。
[0219]在構(gòu)成基材的材料對元件層的形成工序中的加熱具有耐熱性的情況下，在基材上直接形成元件層時，工序被簡化，所以是優(yōu)選的。此時，在將基材固定于支撐基材的狀態(tài)下形成元件層時，容易在裝置內(nèi)及裝置間傳送元件層，所以是優(yōu)選的。
[0220]在采用在支撐基材上形成元件層之后將元件層轉(zhuǎn)置到基材的方法的情況下，首先在支撐基材上層疊剝離層和絕緣層，在該絕緣層上形成元件層。接著，將支撐基材與元件層剝離而將元件層轉(zhuǎn)置到基材上。此時，選擇在支撐基材與剝離層的界面處、剝離層與絕緣層的界面處或剝離層中產(chǎn)生剝離的材料，即可。
[0221]例如，優(yōu)選的是，作為剝離層使用層疊有包含鎢等高熔點金屬材料的層與包含該金屬材料的氧化物的層的疊層，并且在剝離層上使用層疊有多個氮化硅或氧氮化硅的層。優(yōu)選使用高熔點金屬材料，因為元件層的形成工序的自由度得到提高。
[0222]剝離可以通過施加機械性的力量、對剝離層進行蝕刻或者將液體滴到剝離界面的一部分而滲入到剝離界面整體等來進行?；蛘?，也可以利用熱膨脹系數(shù)的差異加熱剝離界面來進行剝離。
[0223]在支撐基材與絕緣層的界面能夠進行剝離的情況下，也可以不設(shè)置剝離層。例如，也可以作為支撐基材使用玻璃，作為絕緣層使用聚酰亞胺等有機樹脂，并通過使用激光等局部性地加熱有機樹脂的一部分來形成剝離起點，由此在玻璃與絕緣層的界面進行剝離。或者，也可以在支撐基材與由有機樹脂形成的絕緣層之間設(shè)置金屬層，并通過使電流流過該金屬層來加熱該金屬層，由此在該金屬層與絕緣層的界面進行剝離。此時，可以將由有機樹脂形成的絕緣層用作基材。
[0224]具有柔性的基材的例子包括聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚砜(PES)樹脂、聚酰胺樹脂、環(huán)烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚酰胺-酰亞胺樹脂及聚氯乙烯樹脂等。尤其優(yōu)選使用熱膨脹系數(shù)低的材料，例如，可以使用熱膨脹系數(shù)為30X
10一 6/K以下的聚酰胺-酰亞胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、PET等。另外，還可以使用在纖維體中浸滲有樹脂的襯底(也稱為預(yù)浸料)、將無機填料混入有機樹脂中以降低熱膨脹系數(shù)的襯底。
[0225]在上述材料中含有纖維體的情況下，作為纖維體使用有機化合物或無機化合物的高強度纖維。具體而言，高強度纖維是拉伸彈性模量或楊氏模量高的纖維。其典型例子包括聚乙烯醇類纖維、聚酯類纖維、聚酰胺類纖維、聚乙烯類纖維、芳族聚酰胺類纖維、聚對苯撐苯并雙噁唑纖維、玻璃纖維及碳纖維。作為玻璃纖維可以舉出使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。將上述纖維體以織布或無紡布的狀態(tài)使用，并且，也可以使用在該纖維體中浸滲樹脂并使該樹脂固化而成的結(jié)構(gòu)體作為柔性襯底。通過作為柔性襯底使用包括纖維體和樹脂的結(jié)構(gòu)體，可以提高抵抗彎曲或局部擠壓所引起的破損的可靠性，所以是優(yōu)選的。
[0226]注意，在本發(fā)明的一個方式的顯示裝置中，可以采用在像素中具有有源元件的有源矩陣方式或在像素中沒有有源元件的無源矩陣方式。
[0227]在有源矩陣方式中，作為有源元件(非線性元件)除晶體管外還可以使用各種有源元件(非線性元件)。例如，也可以使用金屬-絕緣體-金屬(MIM:Metal Insulator Metal)或薄膜二極管(TFD:Thin Film D1de)等。由于這些元件的制造工序少，因此能夠降低制造成本或者提高成品率。另外，由于這些元件的尺寸小，所以可以提高開口率，從而實現(xiàn)低功耗或高亮度化。
[0228]除了有源矩陣方式以外，也可以采用沒有有源元件(非線性元件)的無源矩陣方式。由于不使用有源元件(非線性元件)，所以制造工序少，從而可以降低制造成本或者提高成品率。另外，由于不使用有源元件(非線性元件)，所以可以提高開口率，從而實現(xiàn)低功耗或高亮度化等。
[0229]本實施方式對其他實施方式的一部分或全部進行更改、追加、修正、刪除、應(yīng)用、上位概念化或下位概念化。因此，可以將本實施方式的一部分或全部自由地組合于、應(yīng)用于或替換為其他實施方式的一部分或全部。
[0230]實施方式6
[0231]在本實施方式中，參照圖29A至29C說明可用于本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備的可折疊觸摸面板的結(jié)構(gòu)。
[0232]圖29A至29C是觸摸面板500的截面圖。
[0233]觸摸面板500具備顯示部501及觸摸傳感器595。另外，觸摸面板500包括襯底510、襯底570以及襯底590。注意，襯底510、襯底570以及襯底590都具有柔性。
[0234]顯示部501包括:襯底510;襯底510上的多個像素；以及能夠向該像素供應(yīng)信號的多個布線511。多個布線511被引導(dǎo)在襯底510的外周部，其一部分構(gòu)成端子519。端子519與FPC509(1)電連接。
[0235]〈觸摸傳感器〉
[0236]襯底590具備觸摸傳感器595以及多個與觸摸傳感器595電連接的布線598。多個布線598被引導(dǎo)在襯底590的外周部，其一部分構(gòu)成端子。該端子與FPC509(2)電連接。
[0237]作為觸摸傳感器595，可以使用靜電電容式觸摸傳感器。靜電電容式觸摸傳感器的例子為表面型靜電電容式觸摸傳感器、投影型靜電電容式觸摸傳感器。
[0238]投影型靜電電容式觸摸傳感器的例子主要根據(jù)驅(qū)動方法的不同而為自電容式觸摸傳感器、互電容式觸摸傳感器。優(yōu)選使用互電容式觸摸傳感器，因為可以同時檢測出多個點。
[0239]下面，說明采用投影型靜電電容式觸摸傳感器的例子。
[0240]注意，可以使用可檢測出手指等檢測對象的接近或接觸的各種傳感器。
[0241]投影型靜電電容式觸摸傳感器595包括電極591及電極592。電極591電連接于多個布線598之中的任何一個，而電極592電連接于多個布線598之中的任何其他一個。
[0242]布線594使夾著電極592的兩個電極591電連接。電極592與布線594的交叉部面積優(yōu)選為盡可能小。該結(jié)構(gòu)可以減少沒有設(shè)置電極的區(qū)域的面積，從而可以降低透過率的不均勻。其結(jié)果，可以降低來自觸摸傳感器595的光的亮度不均勻。
[0243]注意，電極591及電極592可以具有各種形狀。例如，也可以采用如下結(jié)構(gòu):將多個電極591配置為其間盡量沒有間隙，并隔著絕緣層間隔開地設(shè)置多個電極592，以形成不重疊于電極591的區(qū)域。此時，通過在相鄰的兩個電極592之間設(shè)置與這些電極電絕緣的虛擬電極，可以減少透過率不同的區(qū)域面積，所以是優(yōu)選的。
[0244]觸摸傳感器595包括:襯底590;在襯底590上配置為交錯形狀的電極591及電極592;覆蓋電極591及電極592的絕緣層593;以及使相鄰的電極591電連接的布線594。
[0245]粘合層597以觸摸傳感器595與顯示部501重疊的方式將襯底590與襯底570貼合在一起。
[0246]電極591及電極592使用透光性導(dǎo)電材料形成。作為透光性導(dǎo)電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導(dǎo)電氧化物或者石墨烯。
[0247]在通過濺射法將透光性導(dǎo)電材料沉積在襯底590上之后，可以通過光刻法等各種圖案化技術(shù)去除無需的部分來形成電極591及電極592。石墨烯除了通過CVD法形成之外，還可以在涂敷分散有氧化石墨烯的溶液之后使其還原來形成。
[0248]用于絕緣層593的材料的例子為丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等樹脂、具有硅氧烷鍵的樹脂以及氧化硅、氧氮化硅、氧化鋁等無機絕緣材料。
[0249]另外，達到電極591的開口形成在絕緣層593中，并且布線594電連接相鄰的電極591。由于透光導(dǎo)電材料可以提高觸摸面板的開口率，因此可以適用于布線594。另外，因為其導(dǎo)電性高于電極591及電極592的材料可以減少電阻，所以可以適用于布線594。
[0250]一個電極592延在一個方向上，多個電極592設(shè)置為條紋狀。
[0251]布線594與電極592交叉。
[0252]夾著一個電極592設(shè)置相鄰電極591。布線594電連接相鄰電極591。
[0253]注意，多個電極591并不一定要設(shè)置在與一個電極592正交的方向上，也可以在小于90°角下與一個電極592交叉地配置。
[0254]一個布線598與電極591或電極592電連接。將布線598的一部分用作端子。作為布線598，可以使用金屬材料諸如鋁、金、鉑、銀、鎳、鈦、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等或者包含任何該金屬材料的合金材料。
[0255]注意，通過設(shè)置覆蓋絕緣層593及布線594的絕緣層，可以保護觸摸傳感器595。
[0256]另外，連接層599電連接布線598與FPC509(2)。
[0257]作為連接層599，可以使用各向異性導(dǎo)電膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)或各向異性導(dǎo)電膏(ACP:Anisotropic Conductive Paste)等。
[0258]粘合層597具有透光性。例如，可以使用熱固化樹脂或紫外線固化樹脂，具體而言，可以使用丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂或具有硅氧烷鍵的樹脂等樹脂。
[0259]〈顯示部〉
[0260]顯示部501具備多個配置為矩陣狀的像素。每個像素具備顯示元件及驅(qū)動顯示元件的像素電路。
[0261]在本實施方式中，說明將發(fā)射白色光的有機電致發(fā)光元件適用于顯示元件的例子，但是顯示元件不局限于此。例如，也可以使用顏色不同的有機電致發(fā)光元件諸如發(fā)射紅色光的有機電致發(fā)光元件、發(fā)射藍色光的有機電致發(fā)光元件以及發(fā)射綠色光的有機電致發(fā)光元件。
[0262]作為顯示元件，除了有機電致發(fā)光元件之外，還可以使用利用電泳方式、電子粉流體方式等進行顯示的顯示元件(也稱為電子墨水)、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件等各種顯示元件。適用于所采用的顯示元件結(jié)構(gòu)可以從各種像素電路選擇而使用。
[0263]襯底510是疊層體，在該疊層體中層疊有柔性襯底510b、用來防止雜質(zhì)向發(fā)光元件擴散的阻擋膜510a以及用來貼合阻擋膜510a與襯底510b的粘合層510c。
[0264]襯底570是疊層體，在該疊層體中層疊有柔性襯底570b、用來防止雜質(zhì)向發(fā)光元件擴散的阻擋膜570a以及用來貼合阻擋膜570a與襯底570b的粘合層570c。
[0265]密封劑560貼合襯底570與襯底510。密封劑560具有高于大氣的折射率。在將光取出在密封劑560—側(cè)的情況下，密封劑560兼作光學(xué)粘合層。像素電路及發(fā)光元件(例如發(fā)光元件550R)設(shè)置在襯底510與襯底570之間。
[0266]《像素的結(jié)構(gòu)》
[0267]像素包含子像素502R，子像素502R具備發(fā)光模塊580R。
[0268]子像素502R具備發(fā)光元件550R以及能夠向發(fā)光元件550R供應(yīng)電力且包括晶體管502t的像素電路。另外，發(fā)光模塊580R具備發(fā)光元件550R以及光學(xué)元件(例如著色層567R)。
[0269]發(fā)光元件550R包括下部電極、上部電極、以及下部電極與上部電極之間的包含發(fā)光有機化合物的層。
[0270]發(fā)光模塊580R在取出光一側(cè)具有著色層567R。著色層只要是可以使具有特定波長的光透過即可，例如，可以使用選擇性地使呈現(xiàn)紅色、綠色或藍色等的光透過的著色層。注意，也可以在其他子像素中設(shè)置從發(fā)光元件發(fā)射的光直接透過的區(qū)域。
[0271 ] 在密封劑560設(shè)置于取出光一側(cè)的情況下，密封劑560接觸于發(fā)光元件550R及著色層567R。
[0272]著色層567R位于與發(fā)光元件550R重疊的位置。由此，發(fā)光元件550R發(fā)射的光的一部分透過著色層567R，而向圖29A中的箭頭所示的方向發(fā)射到發(fā)光模塊580R的外部。
[0273]《顯示部的結(jié)構(gòu)》
[0274]顯示部501在取出光一側(cè)具有遮光層567BM。以包圍著色層(例如著色層567R)的方式設(shè)置有遮光層567BM。
[0275]顯示部501具備位于與像素重疊的位置上的反射防止層567p。作為反射防止層567p，例如可以使用圓偏振片。
[0276]顯示部501具備絕緣膜521。該絕緣膜521覆蓋晶體管502t。注意，可以將絕緣膜521用作使起因于像素電路的凹凸平坦的層。此外，可以將包括能夠抑制雜質(zhì)的擴散的層的疊層膜用于絕緣膜521。由此，能夠抑制由于非意圖的雜質(zhì)擴散而導(dǎo)致的晶體管502t等的可靠性下降。
[0277]顯示部501在絕緣膜521上包括發(fā)光元件(例如發(fā)光元件550R)。
[0278]顯示部501在絕緣膜521上具有與下部電極的端部重疊的分隔壁528。另外，在分隔壁528上具有用來控制襯底510與襯底570的間隔的間隔物。
[0279]《掃描線驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)》
[0280]掃描線驅(qū)動電路503g(l)包括晶體管503t以及電容器503c。注意，可以通過與像素電路相同的工序在相同的襯底上形成驅(qū)動電路。
[0281]《其他結(jié)構(gòu)》
[0282]顯示部501具備能夠供應(yīng)信號的布線511。端子519設(shè)置在布線511上。注意，能夠供應(yīng)圖像信號或同步信號等信號的FPC509 (I)與端子519電連接。
[0283]注意，該FPC509 (I)也可以安裝有印刷線路板(PWB)。
[0284]〈顯示部的修改例子1>
[0285]可以將各種晶體管適用于顯示部501。
[0286]圖29A和29B示出將底柵極型晶體管用于顯示部501的情況的結(jié)構(gòu)。
[0287]例如，可以將包含氧化物半導(dǎo)體、非晶硅等的半導(dǎo)體層用于圖29A所示的晶體管502t及晶體管503t。
[0288]例如，可以將包含多晶娃等的半導(dǎo)體層用于圖29B所不的晶體管502t及晶體管503to
[0289]圖29C示出將頂柵極型晶體管用于顯示部501的情況的結(jié)構(gòu)。
[0290]例如，可以將包含多晶硅或轉(zhuǎn)置了的單晶硅膜等的半導(dǎo)體層用于圖29C所示的晶體管502t及晶體管503t。
[0291]本實施方式對其他實施方式的一部分或全部進行更改、追加、修正、刪除、應(yīng)用、上位概念化或下位概念化。因此，可以將本實施方式的一部分或全部自由地組合于、應(yīng)用于或替換為其他實施方式的一部分或全部。
[0292]實施方式7
[0293]在本實施方式中，參照圖30A至30C說明可用于本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備的可折疊觸摸面板的結(jié)構(gòu)。
[0294]圖30A至30C是說明觸摸面板500B的截面圖。
[0295]本實施方式所說明的觸摸面板500B與實施方式6所說明的觸摸面板500的不同之處是:觸摸面板500B具備將被供應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)顯示在設(shè)置有晶體管的一側(cè)的顯示部501;以及將觸摸傳感器設(shè)置在顯示部的襯底510—側(cè)。在此，對與觸摸面板500不同的結(jié)構(gòu)進行詳細說明，關(guān)于其他相同的結(jié)構(gòu)援用上述說明。
[0296]〈顯示部〉
[0297]顯示部501具備配置為矩陣狀的多個像素。像素具備顯示元件及驅(qū)動顯示元件的像素電路。
[0298]《像素的結(jié)構(gòu)》
[Ο2"]像素包含子像素502R，子像素502R具備發(fā)光模塊580R。
[0300]子像素502R具備發(fā)光元件550R以及能夠向發(fā)光元件550R供應(yīng)電力且包括晶體管502t的像素電路。
[0301 ] 發(fā)光模塊580R具備發(fā)光元件550R以及光學(xué)元件(例如著色層567R)。
[0302]發(fā)光元件550R包括下部電極、上部電極以及下部電極與上部電極之間的包含發(fā)光有機化合物的層。
[0303]發(fā)光模塊580R在提取光一側(cè)具有著色層567R。著色層只要是可以使具有特定波長的光透過即可，例如，可以使用選擇性地使呈現(xiàn)紅色、綠色或藍色等的光透過的著色層。注意，也可以在其他子像素中設(shè)置使發(fā)光元件所發(fā)射的光直接透過的區(qū)域。
[0304]著色層567R位于與發(fā)光元件550R重疊的位置。圖30A所示的發(fā)光元件550R將光發(fā)射在設(shè)置有晶體管502t的一側(cè)。由此，發(fā)光元件550R所發(fā)射的光的一部分透過著色層567R，而向圖30A中的箭頭所示的方向發(fā)射到發(fā)光模塊580R的外部。
[0305]《顯示部的結(jié)構(gòu)》
[0306]顯示部501在發(fā)射光一側(cè)具有遮光層567BM。以包圍著色層(例如著色層567R)的方式設(shè)置有遮光層567BM。
[0307]顯示部501具備絕緣膜521。該絕緣膜521覆蓋晶體管502t。注意，可以將絕緣膜521用作使起因于像素電路的凹凸平坦的層?？梢詫軌蛞种齐s質(zhì)的擴散的層的疊層膜用于絕緣膜521。由此，例如可以抑制由于從著色層567R擴散的非意圖的雜質(zhì)而晶體管502t等的可靠性降低。
[0308]〈觸摸傳感器〉
[0309]觸摸傳感器595設(shè)置在顯示部501的襯底510—側(cè)(參照圖30A)。
[0310]粘合層597設(shè)置在襯底510與襯底590之間，并貼合顯示部501和觸摸傳感器595。
[0311]〈顯示部的修改例子1>
[0312]可以將各種晶體管適用于顯示部501。
[0313]圖30A及30B示出將底柵型晶體管用于顯示部501的情況的結(jié)構(gòu)。
[0314]例如，可以將包含氧化物半導(dǎo)體、非晶硅等的半導(dǎo)體層用于圖30A所示的晶體管502t及晶體管503t。
[0315]例如，可以將包含多晶娃等的半導(dǎo)體層用于圖30B所不的晶體管502t及晶體管503to
[0316]圖30C示出將頂柵型晶體管用于顯示部501的情況的結(jié)構(gòu)。
[0317]例如，可以將包含多晶硅或轉(zhuǎn)置了的單晶硅膜等的半導(dǎo)體層用于圖30C所示的晶體管502t及晶體管503t。
[0318]本實施方式對其他實施方式的一部分或全部進行更改、追加、修正、刪除、應(yīng)用、上位概念化或下位概念化。因此，可以將本實施方式的一部分或全部自由地組合于、應(yīng)用于或替換為其他實施方式的一部分或全部。
[0319]實施方式8
[0320]在本實施方式中，說明一種氧化物半導(dǎo)體，該氧化物半導(dǎo)體適用于可在本發(fā)明的一個方式的顯示面板的半導(dǎo)體裝置中使用的半導(dǎo)體層。
[0321]氧化物半導(dǎo)體具有3.0eV以上的高能隙，在包括以適當?shù)臈l件對氧化物半導(dǎo)體進行加工并充分降低其載流子密度而獲得的氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管中，可以使截止狀態(tài)下的源極與漏極之間的泄漏電流(截止態(tài)電流)遠低于現(xiàn)有的包含硅的晶體管。
[0322]能夠應(yīng)用的氧化物半導(dǎo)體優(yōu)選至少含有銦(In)或鋅(Zn)。尤其優(yōu)選包含In及Zn。除此以外，作為用來減少使用該氧化物半導(dǎo)體的晶體管的電特性不均勻的穩(wěn)定劑，還包含選自鎵(Ga)、錫(Sn)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭系元素(例如，鈰(Ce)、釹(Nd)、釓(Gd))中的一種或多種。
[0323]例如，作為氧化物半導(dǎo)體可以使用氧化銦、氧化錫、氧化鋅、In-Zn類氧化物、Sn-Zn類氧化物、Al-Zn類氧化物、Zn-Mg類氧化物、Sn-Mg類氧化物、In-Mg類氧化物、In-Ga類氧化物、In-Ga-Zn類氧化物(也記為IGZ0)、In-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、Sn-Ga-Zn類氧化物、Al -Ga-Zn類氧化物、Sn-Al -Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-Zr-Zn類氧化物、In-T1-Zn類氧化物、In-Sc-Zn類氧化物、In-Y-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn 類氧化物、In-Al-Ga-Zn 類氧化物、In-Sn-Al-Zn 類氧化物、In-Sn-Hf-Zn 類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物。
[0324]在此，“In-Ga-Zn類氧化物”是指以In、Ga以及Zn為主要成分的氧化物，不限制In:Ga: Zn的比例。In-Ga-Zn類氧化物也可以包含In、Ga、Zn以外的金屬元素。
[0325]另外，作為氧化物半導(dǎo)體，也可以使用表示為InM03(Zn0)m(m>0且m不是整數(shù))的材料。注意，1^表示選自Ga、Fe、Mn及Co中的一種或多種金屬元素或者用作上述穩(wěn)定劑的元素。另外，作為氧化物半導(dǎo)體，也可以使用表示為In2Sn05(Zn0)n(n>0且η是整數(shù))的材料。
[0326]例如，可以使用其原子數(shù)比為111:63:211=1:1:1、1:3:2、1:3:4、1:3:6、3:1:2或2:1:3的In-Ga-Zn類氧化物或接近于上述組成的氧化物。
[0327]注意，若氧化物半導(dǎo)體膜含有多量的氫，則該氫與氧化物半導(dǎo)體鍵合而使該氫的一部分成為供體，因此產(chǎn)生作為載流子的電子。其結(jié)果，導(dǎo)致晶體管的閾值電壓向負方向漂移。由此，優(yōu)選通過在形成氧化物半導(dǎo)體膜之后進行脫水化處理(脫氫化處理)，從氧化物半導(dǎo)體膜中去除氫或水分來進行高度純化以使其盡量不包含雜質(zhì)。
[0328]注意，有時因為對氧化物半導(dǎo)體膜進行脫水化處理(脫氫化處理)而氧化物半導(dǎo)體膜中的氧也會減少。因此，為了填補因?qū)ρ趸锇雽?dǎo)體膜的脫水化處理(脫氫化處理)而增加的氧缺損，優(yōu)選將氧添加到氧化物半導(dǎo)體膜。在本說明書等中，有時將對氧化物半導(dǎo)體膜供應(yīng)氧的情況稱為加氧化處理，或者，有時將使氧化物半導(dǎo)體膜的氧含量超過化學(xué)計量組成的情況稱為過氧化處理。
[0329]如上所述，通過進行脫水化處理(脫氫化處理)以從氧化物半導(dǎo)體膜中去除氫或水分，并進行加氧化處理以填補氧缺損，可以得到被i型(本征)化的氧化物半導(dǎo)體膜或無限趨近于i型氧化物半導(dǎo)體(實質(zhì)上i型氧化物半導(dǎo)體)的氧化物半導(dǎo)體膜。注意，“實質(zhì)上本征”是指:氧化物半導(dǎo)體膜包括極少(近于零)的來自于供體的載流子，且其載流子密度為I X11Vcm3以下，I X 11Vcm3以下，I X 1015/cm3以下，I X 114/cm3以下，I X 1013/cm3以下，尤其優(yōu)選為8 X 11Vcm3以下，更優(yōu)選為I X 11Vcm3以下，進一步優(yōu)選為I X 11Vcm3以下且I X10—9/cm3以上。
[0330]如此，具備i型或?qū)嵸|(zhì)上呈i型的氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管可以實現(xiàn)極為優(yōu)良的截止態(tài)電流特性。例如，可以將使用氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管處于截止狀態(tài)時的漏極電流在室溫(25°C左右)下設(shè)定為I X 10—18A以下，優(yōu)選為I X 10—21A以下，更優(yōu)選為I X 10—24A以下，或者，可以將漏極電流在85°C的溫度下設(shè)定為I X 10—15A以下，優(yōu)選為I X 10—18A以下，更優(yōu)選為1X10—21A以下。“晶體管處于截止狀態(tài)”是指:在采用η溝道型晶體管的情況下，柵極電壓充分低于閾值電壓的狀態(tài)。具體而言，在柵極電壓比閾值電壓低IV以上，2V以上或3V以上時，晶體管成為截止狀態(tài)。注意，這些電流值是源極與漏極之間的電壓例如為1V、5V或1V時的值。
[0331 ]下面，對氧化物半導(dǎo)體膜的結(jié)構(gòu)進行說明。
[0332]氧化物半導(dǎo)體膜大致分為單晶氧化物半導(dǎo)體膜和非單晶氧化物半導(dǎo)體膜。非單晶氧化物半導(dǎo)體膜包括CAAC-0S(C_Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor:c軸取向結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體)膜、多晶氧化物半導(dǎo)體膜、微晶氧化物半導(dǎo)體膜以及非晶氧化物半導(dǎo)體膜等中的任何膜。
[0333]首先，說明CAAC-OS膜。注意，可以將CAAC-OS稱為包含c軸取向納米晶(CANC: C-Axis Aligned Nanocrystals)的氧化物半導(dǎo)體。
[0334]CAAC-OS膜是包含呈c軸取向的多個結(jié)晶部的氧化物半導(dǎo)體膜。
[0335]在CAAC-0S膜的透射電子顯微鏡(TEM:Transmiss1nElectron Microscope)圖像中，觀察不到結(jié)晶部與結(jié)晶部之間的明確的邊界，即晶粒邊界(grain boundary)。因此，在CAAC-OS膜中，不容易發(fā)生由晶粒邊界引起的電子迀移率的下降。
[0336]根據(jù)從大致平行于樣品面的方向觀察的CAAC-OS膜的TEM圖像(截面TEM圖像)可知在結(jié)晶部中金屬原子排列為層狀。各金屬原子層具有反映形成CAAC-OS膜的面(也稱為被形成面)或CAAC-OS膜的頂面的凸凹的形狀并以平行于CAAC-OS膜的被形成面或頂面的方式排列。
[0337]另一方面，根據(jù)從大致垂直于樣品面的方向觀察的CAAC-OS膜的TEM圖像(平面TEM圖像)可知在結(jié)晶部中金屬原子排列為三角形狀或六角形狀。但是，在不同的結(jié)晶部之間金屬原子的排列沒有規(guī)律性。
[0338]圖31A是CAAC-OS膜的截面TEM圖像。圖31B是進一步放大圖31A的截面TEM圖像。在圖31B中，為便于理解而強調(diào)表示原子排列。
[0339]圖31C是圖31A中的A與O間以及O與A’間的由圓圈包圍的區(qū)域(直徑大致為4nm)的局部性的傅里葉變換圖像。在圖31C的各區(qū)域中可以確認到c軸取向性。此外，A與O間的c軸方向不同于O與A ’間的c軸方向，由此可知A與O間的晶粒不同于O與A ’間的晶粒。另外，可知在A與O之間，c軸的角度以14.3°、16.6°、26.4°等而逐漸地連續(xù)變化。同樣地，可知在O與A，之間，c軸的角度以-18.3°、-17.6°、-15.9°等而逐漸地連續(xù)變化。
[0340]注意，在CAAC-OS膜的電子衍射圖案中，觀察到呈現(xiàn)取向性的斑點(亮點)。例如，在使用例如為Inm以上且30nm以下的電子束獲得的CAAC-OS膜的頂面的電子衍射圖案(也稱為納米束電子衍射圖案)中，觀察到斑點(參照圖32A)。
[0341 ]從截面TEM圖像及平面TEM圖像的結(jié)果，在CAAC-OS膜的結(jié)晶部中可確認到取向性。
[0342]CAAC-OS膜所包含的結(jié)晶部幾乎都可以容納在一個邊長小于10nm的立方體內(nèi)。因此，有時包括在CAAC-OS膜中的結(jié)晶部能夠容納在一邊短于10nm、短于5nm或短于3nm的立方體。注意，有時包含在CAAC-OS膜中的多個結(jié)晶部聯(lián)結(jié)，從而形成一個大結(jié)晶區(qū)。例如，在平面TEM圖像中有時會觀察到2500nm2以上、5μπι2以上或100ym2以上的結(jié)晶區(qū)。
[0343]使用X射線衍射(XRD:X-Ray Diffract1n)裝置對CAAC-0S膜進行結(jié)構(gòu)分析。例如，當利用out-of-plane法分析包括InGaZnO4結(jié)晶的CAAC-OS膜時，在衍射角(2Θ)為31°附近時常出現(xiàn)峰值。由于該峰值來源于InGaZnO4結(jié)晶的(009)面，由此可知CAAC-OS膜中的結(jié)晶具有C軸取向性，并且C軸朝向大致垂直于CAAC-OS膜的被形成面或頂面的方向。
[0344]另一方面，當利用從大致垂直于c軸的方向使X射線入射到樣品的in-plane法分析CAAC-OS膜時，在2Θ為56°附近時常出現(xiàn)峰值。該峰值來源于InGaZnO4結(jié)晶的(110)面。在此，將2Θ固定為56°附近并在以樣品面的法線向量為軸(Φ軸)旋轉(zhuǎn)樣品的條件下進行分析(Φ掃描)。在該樣品是InGaZnO4的單晶氧化物半導(dǎo)體膜的情況下，出現(xiàn)六個峰值。該六個峰值來源于相等于(110)面的結(jié)晶面。另一方面，在該樣品是CAAC-OS膜的情況下，即使在將2Θ固定為56°附近的狀態(tài)下進行Φ掃描也不能觀察到明確的峰值。
[0345]由上述結(jié)果可知，在具有c軸取向的CAAC-OS膜中，雖然a軸及b軸的方向在結(jié)晶部之間不同，但是c軸都朝向平行于被形成面或頂面的法線向量的方向。因此，在上述截面TEM圖像中觀察到的排列為層狀的各金屬原子層相當于與結(jié)晶的ab面平行的面。
[0346]注意，結(jié)晶部在形成CAAC-OS膜或進行加熱處理等晶化處理時形成。如上所述，結(jié)晶的c軸朝向平行于CAAC-OS膜的被形成面或頂面的法線向量的方向。由此，例如，在CAAC-OS膜的形狀因蝕刻等而發(fā)生改變的情況下，c軸不一定平行于CAAC-OS膜的被形成面或頂面的法線向量。
[0347]此外，在CAAC-OS膜中，c軸取向的晶化部的分布不一定均勻。例如，在CAAC-OS膜的結(jié)晶部是由CAAC-OS膜的頂面附近的結(jié)晶成長而形成的情況下，有時頂面附近的c軸取向的結(jié)晶部比例會高于被形成面附近的晶化度。另外，在對CAAC-OS膜添加雜質(zhì)時，添加有雜質(zhì)的區(qū)域變質(zhì)而有時CAAC-OS膜中的c軸取向結(jié)晶部所占的比例根據(jù)區(qū)域而不同。
[0348]注意，當利用out-of-plane法分析包括InGaZnO4結(jié)晶的CAAC-0S膜時，除了在2Θ為31°附近的峰值之外，有時還在2Θ為36°附近觀察到峰值。2Θ為36°附近的峰值意味著CAAC-OS膜的一部分中含有不具有c軸取向的結(jié)晶。優(yōu)選的是，在CAAC-OS膜中在2Θ為31°附近時出現(xiàn)峰值而在2Θ為36°附近時不出現(xiàn)峰值。
[0349]CAAC-OS膜是雜質(zhì)濃度低的氧化物半導(dǎo)體膜。雜質(zhì)是指氫、碳、硅、過渡金屬元素等氧化物半導(dǎo)體膜的主要成分以外的元素。尤其是，某一種元素如硅等與氧的鍵合力比構(gòu)成氧化物半導(dǎo)體膜的金屬元素與氧的鍵合力強，該元素會奪取氧化物半導(dǎo)體膜中的氧，從而打亂氧化物半導(dǎo)體膜的原子排列，導(dǎo)致結(jié)晶性下降。另外，由于鐵或鎳等的重金屬、氬、二氧化碳等的原子半徑(或分子半徑)大，所以若包含在氧化物半導(dǎo)體膜內(nèi)，則會打亂氧化物半導(dǎo)體膜的原子排列，導(dǎo)致結(jié)晶性下降。注意，包含在氧化物半導(dǎo)體膜中的雜質(zhì)有時成為載流子陷阱或載流子發(fā)生源。
[0350]CAAC-OS膜是缺陷態(tài)密度低的氧化物半導(dǎo)體膜。有時，氧化物半導(dǎo)體膜中的氧缺損成為載流子陷阱，或因俘獲氫而成為載流子發(fā)生源。
[0351 ]將雜質(zhì)濃度低且缺陷態(tài)密度低(氧缺損量少)的狀態(tài)稱為“高純度本征”或“實質(zhì)上高純度本征”。在高純度本征或?qū)嵸|(zhì)上高純度本征的氧化物半導(dǎo)體膜中載流子發(fā)生源少，所以可以降低載流子密度。因此，包括該氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管很少具有負閾值電壓(也稱為常導(dǎo)通)。高純度本征或?qū)嵸|(zhì)上高純度本征的氧化物半導(dǎo)體膜具有很少的載流子陷阱。因此，包括該氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管具有很小的電特性變動及高可靠性。被氧化物半導(dǎo)體膜的載流子陷阱俘獲的電荷直到被釋放需要的長時間，有時像固定電荷那樣動作。因此，包括具有高雜質(zhì)濃度及高缺陷態(tài)密度的氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的電特性有時不穩(wěn)定。
[0352]在使用CAAC-OS膜的OS晶體管中，起因于可見光或紫外光的照射的電特性的變動小。
[0353]接下來，說明微晶氧化物半導(dǎo)體膜。
[0354]在微晶氧化物半導(dǎo)體膜的TEM圖像中，有時無法明確地確認到結(jié)晶部。微晶氧化物半導(dǎo)體膜中含有的結(jié)晶部的尺寸大多為Inm以上且10nm以下或Inm以上且1nm以下。尤其是，將具有尺寸為Inm以上且1nm以下或Inm以上且3nm以下的微晶稱為納米晶(nc:nanocrystal)。將包括納米晶的氧化物半導(dǎo)體膜稱為nc_0S( nano cry stall ine OxideSemiconductor:納米晶氧化物半導(dǎo)體)膜。例如在通過TEM得到的nc-OS膜的圖像中，有時無法明確地確認到晶粒邊界。注意，也可以將nc-0S稱為包含無規(guī)取向納米晶(RANC: RandomAl igned Nanocrystal s)的氧化物半導(dǎo)體或包含無取向納米晶(NANC: Non-Al ignedNanocrystals)的氧化物半導(dǎo)體。
[0355]在nc-0S膜中，微小區(qū)域(例如Inm以上且1nm以下的區(qū)域，特別是Inm以上且3nm以下的區(qū)域)具有周期性原子排列。nc-OS膜在不同的結(jié)晶部之間觀察不到晶體取向的規(guī)律性。因此，在膜整體上觀察不到取向性。所以，有時nc-OS膜在某些分析方法中與非晶氧化物半導(dǎo)體膜沒有差別。例如，在通過利用使用其束徑比結(jié)晶部直徑大的X射線的XRD裝置的out-of-plane法對nc-OS膜進行結(jié)構(gòu)分析時，檢測不出表示結(jié)晶面的峰值。此外，在對nc_0S膜進行使用其束徑比結(jié)晶部直徑大(例如，50nm以上)的電子射線的電子衍射(也稱為選區(qū)電子衍射)時，觀察到類似于光暈圖案的衍射圖案。另一方面，在對nc-OS膜進行使用其束徑近于或小于結(jié)晶部直徑的電子射線的電子衍射時，觀察到斑點。另外，在nc-OS膜的納米束電子衍射圖案中，有時觀察到如圓圈那樣的(環(huán)狀的)亮度高的區(qū)域。在nc-OS膜的納米束電子衍射圖案中，還有時觀察到環(huán)狀的區(qū)域內(nèi)的多個斑點(參照圖32B)。
[0356]由于nc-OS膜是其規(guī)律性比非晶氧化物半導(dǎo)體膜高的氧化物半導(dǎo)體膜，因此nc-OS膜的缺陷態(tài)密度比非晶氧化物半導(dǎo)體膜低。但是，nc-OS膜在不同的結(jié)晶部之間觀察不到晶體取向的規(guī)律性。所以，nc-OS膜的缺陷態(tài)密度比CAAC-OS膜高。
[0357]注意，氧化物半導(dǎo)體膜例如也可以是包括非晶氧化物半導(dǎo)體膜、微晶氧化物半導(dǎo)體膜和CAAC-OS膜中的兩種以上的疊層膜。
[0358]在氧化物半導(dǎo)體膜具有多個結(jié)構(gòu)的情況下，有時通過利用納米束電子衍射可以進行結(jié)構(gòu)分析。
[0359]圖32C不出一種透射電子衍射測量裝置，包括:電子槍室10；電子槍室1下的光學(xué)系統(tǒng)12;光學(xué)系統(tǒng)12下的樣品室14;樣品室14下的光學(xué)系統(tǒng)16;光學(xué)系統(tǒng)16下的觀察室20;安裝在觀察室20中的拍攝裝置18;以及觀察室20下的膠片室22。以朝向觀察室20內(nèi)部的方式設(shè)置拍攝裝置18。注意，不一定必須設(shè)置膠片室22。
[0360]圖32D示出圖32C所示的透射電子衍射測量裝置內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。在透射電子衍射測量裝置中，從設(shè)置在電子槍室10的電子槍發(fā)射的電子通過光學(xué)系統(tǒng)12照射到配置在樣品室14中的物質(zhì)28。穿過物質(zhì)28的電子通過光學(xué)系統(tǒng)16入射到設(shè)置在觀察室20內(nèi)部的熒光板32中。在熒光板32上，通過呈現(xiàn)對應(yīng)于所入射的電子的強度的圖案，可以測量透射電子衍射圖案。
[0361]因為拍攝裝置18朝向熒光板32地設(shè)置，所以可以拍攝熒光板32上的圖案。穿過拍攝裝置18的透鏡的中間部及熒光板32的中間部的直線和熒光板32的頂面所形成的角度例如為15°以上且80°以下，30°以上且75°以下或45°以上且70°以下。該角度越小，由拍攝裝置18拍攝的透射電子衍射圖案的應(yīng)變越大。注意，若預(yù)先得知該角度，則能夠校正所得到的透射電子衍射圖案的應(yīng)變。注意，有時也可以將拍攝裝置18設(shè)置在膠片室22。例如，也可以以與電子24的入射方向相對的方式將拍攝裝置18設(shè)置在膠片室22中。在此情況下，可以從熒光板32的背面拍攝應(yīng)變少的透射電子衍射圖案。
[0362]在樣品室14中設(shè)置有用來固定樣品的物質(zhì)28的支架。支架具有使穿過物質(zhì)28的電子透過的結(jié)構(gòu)。例如，支架也可以具有將物質(zhì)28移動到X軸、Y軸、Z軸等的功能。支架的移動功能例如具有在Inm以上且1nm以下、5nm以上且50nm以下、1nm以上且10nm以下、50nm以上且500nm以下、10nm以上且Ιμπι以下等的范圍內(nèi)移動的精度即可。至于這些范圍，根據(jù)物質(zhì)28的結(jié)構(gòu)設(shè)定最適合的范圍即可。
[0363]接著，說明使用上述透射電子衍射測量裝置測量物質(zhì)的透射電子衍射圖案的方法。
[0364]例如，如圖32D所示，通過改變物質(zhì)中的納米束的電子24的照射位置(進行掃描)，可以確認到物質(zhì)的結(jié)構(gòu)逐漸地產(chǎn)生變化的狀況。此時，在物質(zhì)28是CAAC-OS膜時，可以觀察到圖32Α所示的衍射圖案。在物質(zhì)28是nc-OS膜時，可以觀察到圖32B所示的衍射圖案。
[0365]即使物質(zhì)28是CAAC-OS膜，有時也部分地觀察到與nc-OS膜等同樣的衍射圖案。因此，有時可以以在一定范圍內(nèi)觀察到CAAC-OS膜的衍射圖案的區(qū)域的比例(也稱為CAAC化率)表示CAAC-OS膜的優(yōu)劣。例如，優(yōu)良的CAAC-OS膜的CAAC化率為50%以上，優(yōu)選為80%以上，更優(yōu)選為90%以上，進一步優(yōu)選為95%以上。注意，將觀察到與CAAC-OS膜不同的衍射圖案的區(qū)域的比例表示為非CAAC化率。
[0366]例如，對具有剛進行沉積成膜之后(表示為“濺射的狀態(tài)(as-sputtered)”)的CAAC-OS膜或在包含氧的氣氛中以450 °C進行加熱處理之后的CAAC-OS膜的各樣品的頂面一邊進行掃描一邊得到透射電子衍射圖案。在此，一邊以5nm/秒鐘的速度進行掃描60秒鐘一邊觀察衍射圖案，且每隔0.5秒鐘將觀察到的衍射圖案轉(zhuǎn)換為靜態(tài)圖像，從而導(dǎo)出CAAC化率。注意，作為電子線使用束徑為Inm的納米束。對六個樣品進行同樣的測量。利用六個樣品的平均值算出CAAC化率。
[0367]圖33A示出各樣品的CAAC化率。剛進行成膜之后的CAAC-OS膜的CAAC化率為75.7%(非CAAC化率為24.3%)。進行450°C的加熱處理之后的CAAC-OS膜的CAAC化率為85.3% (非CAAC化率為14.7 % )。由此可知，與剛進行成膜之后相比，450 V的加熱處理之后的CAAC化率較高。也就是說，可知高溫(例如40O °C以上)下的加熱處理降低非CAAC化率(提高CAAC化率)。此外，在進行低于500°C的加熱處理時也可以得到具有高CAAC化率的CAAC-OS膜。
[0368]在此，與CAAC-OS膜不同的衍射圖案的大部分是與nc-OS膜同樣的衍射圖案。此外，在測量區(qū)域中觀察不到非晶氧化物半導(dǎo)體膜。由此可知，通過加熱處理，具有與nc-OS膜同樣的結(jié)構(gòu)的區(qū)域受到相鄰的區(qū)域的結(jié)構(gòu)的影響而重新排列，由此該區(qū)域成為CAAC。
[0369]圖33B及圖33C是剛進行成膜之后及450°C的加熱處理之后的CAAC-OS膜的平面TEM圖像。通過對圖33B和圖33C進行比較，可知450°C的加熱處理之后的CAAC-OS膜的性質(zhì)更均勻。也就是說，可知通過高溫的加熱處理提高CAAC-OS膜的性質(zhì)。
[0370]通過采用這種測量方法，有時可以對具有多種結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體膜進行結(jié)構(gòu)分析。
[0371 ] CAAC-OS膜例如可以通過如下方法形成。
[0372]CAAC-OS膜例如使用多晶的氧化物半導(dǎo)體濺射用靶材，并利用濺射法形成。
[0373]通過增高成膜時的襯底溫度，使濺射粒子在到達襯底之后發(fā)生迀移。具體而言，將成膜時的襯底溫度設(shè)定為100 0C以上且740 °C以下，優(yōu)選為200 V以上且500 °C以下。通過增高成膜時的襯底溫度，使片狀或丸壯濺射粒子在到達襯底時在襯底上發(fā)生迀移，于是濺射粒子的平坦面附著到襯底。此時，濺射粒子帶正電使得濺射粒子互相排斥而附著到襯底上，由此濺射粒子不會不均勻地重疊，從而可以形成厚度均勻的CAAC-OS膜。
[0374]通過減少成膜時混入到CAAC-OS膜的雜質(zhì)量，可以抑制因雜質(zhì)導(dǎo)致的結(jié)晶狀態(tài)的破壞。例如，降低存在于成膜室內(nèi)的雜質(zhì)(氫、水、二氧化碳及氮等)的濃度即可。另外，降低成膜氣體中的雜質(zhì)濃度即可。具體而言，使用露點為-80°C以下，優(yōu)選為-100°C以下的成膜氣體。
[0375]另外，優(yōu)選通過增高成膜氣體中的氧比例并使電力最優(yōu)化，來減輕成膜時的等離子體損傷。將成膜氣體中的氧比例設(shè)定為30vol.%以上，優(yōu)選設(shè)定為100vol.%。
[0376]或者，CAAC-OS膜使用以下方法而形成。
[0377]首先，形成其厚度為Inm以上且小于1nm的第一氧化物半導(dǎo)體膜。第一氧化物半導(dǎo)體膜利用濺射法形成。具體而言，第一氧化物半導(dǎo)體膜的形成條件為如下:襯底溫度為100°C以上且500°C以下，優(yōu)選為150°C以上且450°C以下；以及成膜氣體中的氧比例為30vol.%以上，優(yōu)選為100vol.% ο
[0378]接著，進行加熱處理，以使第一氧化物半導(dǎo)體膜形成為高結(jié)晶性的第一CAAC-OS膜。將加熱處理的溫度設(shè)定為350 °C以上且740°C以下，優(yōu)選為450 °C以上且650 °C以下。將加熱處理的時間設(shè)定為I分鐘以上且24小時以下，優(yōu)選為6分鐘以上且4小時以下。加熱處理可以在惰性氣氛或氧化性氣氛中進行。優(yōu)選的是，先在惰性氣氛中進行加熱處理，然后在氧化性氣氛中進行加熱處理。通過在惰性氣氛中進行加熱處理，可以在短時間內(nèi)降低第一氧化物半導(dǎo)體膜的雜質(zhì)濃度。另一方面，在惰性氣氛中進行加熱處理時，有時會在第一氧化物半導(dǎo)體膜中形成氧缺陷。在此情況下，通過在氧化性氣氛中進行加熱處理，可以減少該氧缺損。注意，也可以在100Pa以下、10Pa以下、1Pa以下或IPa以下的減壓下進行加熱處理。在減壓下，可以在更短時間內(nèi)降低第一氧化物半導(dǎo)體膜的雜質(zhì)濃度。
[0379]通過將第一氧化物半導(dǎo)體膜的厚度設(shè)定為Inm以上且低于10nm，與厚度為1nm以上的情況相比可以通過進行加熱處理而容易地使其結(jié)晶化。
[0380]接著，以1nm以上且50nm以下的厚度形成其組成與第一氧化物半導(dǎo)體膜相同的第二氧化物半導(dǎo)體膜。使用濺射法形成第二氧化物半導(dǎo)體膜。具體而言，襯底溫度為100°C以上且500°C以下，優(yōu)選為150°C以上且450°C以下；以及成膜氣體中的氧比例為30vol.%以上，優(yōu)選為10vol.% ο
[0381]接著，進行加熱處理，以使第二氧化物半導(dǎo)體膜從第一CAAC-OS膜進行固相成長，來形成高結(jié)晶性的第二 CAAC-OS膜。將加熱處理的溫度設(shè)定為350 °C以上且740 °C以下，優(yōu)選為450 0C以上且650 °C以下。將加熱處理的時間設(shè)定為I分鐘以上且24小時以下，優(yōu)選為6分鐘以上且4小時以下。加熱處理可以在惰性氣氛或氧化性氣氛中進行。優(yōu)選的是，先在惰性氣氛中進行加熱處理，然后在氧化性氣氛中進行加熱處理。通過在惰性氣氛中進行加熱處理，可以在短時間內(nèi)降低第二氧化物半導(dǎo)體膜的雜質(zhì)濃度。另一方面，在惰性氣氛中進行加熱處理時，有時會在第二氧化物半導(dǎo)體膜中形成氧缺損。在此情況下，通過在氧化性氣氛中進行加熱處理，可以減少該氧缺損。注意，也可以在100Pa以下、10Pa以下、1Pa以下或IPa以下的減壓下進行加熱處理。在減壓下，可以在更短時間內(nèi)降低第二氧化物半導(dǎo)體膜的雜質(zhì)濃度。
[0382]經(jīng)上述步驟，可以形成總厚度為1nm以上的CAAC-OS膜。
[0383]本實施方式對其他實施方式的一部分或全部進行更改、追加、修正、刪除、應(yīng)用、上位概念化或下位概念化。因此，可以將本實施方式的一部分或全部自由地組合于、應(yīng)用于或替換為其他實施方式的一部分或全部。
[0384]實施方式9
[0385]在其他的實施方式中，示出各種例子。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于上述例子。
[0386]例如在本說明書等中，作為晶體管可以使用各種結(jié)構(gòu)的晶體管，而不限制種類。例如，可以使用具有單晶硅的晶體管或者具有以非晶硅、多晶硅或微晶(也稱為微晶、納米晶、半非晶(sem1-amorphous))硅等為代表的非單晶半導(dǎo)體膜的晶體管等?；蛘?，可以使用使這些半導(dǎo)體薄膜化的薄膜晶體管(TFT)等。在使用TFT的情況下，具有各種優(yōu)點。例如，因為可以在比使用單晶硅時低的溫度下進行制造，所以可以實現(xiàn)制造成本的降低或制造裝置的大型化。由于可以使制造裝置變大，所以TFT可以使用大型襯底形成。由此，可以以低成本同時形成很多顯示裝置?；蛘?，由于制造溫度低，所以可以使用耐熱性低的襯底。由此，可以使用透光性襯底形成晶體管?；蛘撸梢允褂糜赏腹庑砸r底形成的晶體管來控制顯示元件中的光的透過。或者，因為晶體管的厚度較薄，所以形成晶體管的膜的一部分能夠使光透過。由此，可以提高開口率。
[0387]注意，當制造多晶娃時，通過使用催化劑(銀等)可以進一步提尚結(jié)晶性，從而可以形成電特性良好的晶體管。其結(jié)果，可以在相同的襯底上形成柵極驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路)、源極驅(qū)動電路(信號線驅(qū)動電路)以及信號處理電路(信號生成電路、伽馬校正電路、DA轉(zhuǎn)換電路等)。
[0388]注意，通過在形成微晶硅中使用催化劑(鎳等)，可以進一步提高結(jié)晶性，且形成電特性良好的晶體管。此時，僅通過進行熱處理而無需進行激光照射，就可以提高結(jié)晶性。其結(jié)果，可以在相同的襯底上形成柵極驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路)以及源極驅(qū)動電路的一部分(模擬開關(guān)等)。注意，在不進行用來實現(xiàn)結(jié)晶化的激光照射的情況下，可以抑制硅結(jié)晶性的不均勻。因此，可以顯示圖像質(zhì)量得到提高的圖像。注意，也可以不使用催化劑(鎳)等而形成多晶硅或微晶硅。
[0389]注意，雖然優(yōu)選在整個面板中使硅的結(jié)晶性提高到多晶或微晶等，但本發(fā)明的硅的結(jié)晶性不局限于此。也可以僅在面板的一部分中使硅的結(jié)晶性提高。通過選擇性地照射激光等，可以選擇性地提高結(jié)晶性。例如，也可以只對作為像素以外的區(qū)域的外圍驅(qū)動電路區(qū)域照射激光?；蛘?，也可以只對柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路等的區(qū)域照射激光。或者，也可以只對源極驅(qū)動電路的一部分(例如模擬開關(guān))照射激光。其結(jié)果，可以只在需要使電路高速地工作的區(qū)域中使硅的晶化提高。由于像素區(qū)域沒有特別需要高速地工作，所以即便結(jié)晶性沒有得到提高，像素電路也可以正常地工作。由此，提高結(jié)晶性的區(qū)域較少，所以也可以減少制造工序。其結(jié)果，可以提高生產(chǎn)能力并降低制造成本。另外，由于所需要的制造裝置的數(shù)量較少，所以可以降低制造成本。
[0390]晶體管的例子是包括化合物半導(dǎo)體(例如，SiGe、GaAs)或者氧化物半導(dǎo)體(例如，ZnO、InGaZnO、銦鋅氧化物(IZO)、銦錫氧化物(ITO)、Sn0、Ti0、AlZnSn0(AZT0)、In-Sn-Zn-O(ITZO))等的晶體管以及包含使這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體薄膜化的薄膜晶體管。由此，可以降低制造溫度，所以例如可以在室溫下形成晶體管。其結(jié)果，可以在低耐熱性的襯底，例如塑料襯底或薄膜襯底等上直接形成晶體管。注意，不僅將這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體用于晶體管的溝道部，并且還可以用于其他用途。例如，可以將這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體用作布線、電阻元件、像素電極、透光性電極等。由于這些元件可以與晶體管同時形成，所以可以降低成本。
[0391]注意，例如，可以使用通過噴墨法或印刷法形成的晶體管。由此，這種晶體管可以在室溫下形成，以低真空度形成或者使用大型襯底形成。如此，不使用掩模(標線片(reticule))也可以形成晶體管，所以可以較容易地改變晶體管的布局。或者，由于晶體管可以不使用抗蝕劑地形成，所以可以減少材料費用，并減少工序數(shù)量。并且，因為可以只在需要的部分上形成膜，所以與在整個面上形成膜之后進行蝕刻的制造方法相比，不浪費材料，從而可以降低成本。
[0392]注意，例如，可以使用具有有機半導(dǎo)體或碳納米管的晶體管。由此，可以在能夠彎曲的襯底上形成晶體管。使用具有有機半導(dǎo)體或碳納米管的晶體管的裝置能抗沖擊。
[0393]注意，可以使用各種結(jié)構(gòu)的晶體管。例如，可以使用MOS型晶體管、結(jié)型晶體管、雙極晶體管等。由于使用小型的MOS型晶體管，因此可以安裝大量晶體管。注意，也可以將MOS型晶體管和雙極晶體管形成在一個襯底上，其中可以實現(xiàn)低功耗、小型化、高速工作等。
[0394]注意，例如在本說明書等中，可以采用具有兩個以上的柵電極的多柵結(jié)構(gòu)晶體管。當采用多柵結(jié)構(gòu)時，由于將溝道區(qū)串聯(lián)連接，所以成為多個晶體管串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。因此，通過采用多柵結(jié)構(gòu)，可以降低截止態(tài)電流，提高晶體管的耐壓性(提高可靠性)?；蛘?，通過利用多柵結(jié)構(gòu)，當晶體管在飽和區(qū)工作時，即便漏極-源極間的電壓發(fā)生波動，漏極-源極間電流的變化也不太大，從而可以得到傾斜角平坦的電壓-電流特性。通過利用傾斜角平坦的電壓-電流特性時，可以實現(xiàn)理想的電流源電路或電阻值極高的有源負載。其結(jié)果，可以得到特性良好的差動電路或電流反射鏡電路等。
[0395]注意，例如，可以使用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)的晶體管。通過采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，多個晶體管并聯(lián)連接。因此，溝道區(qū)增加，所以可以增大電流值。當采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)時，容易形成耗盡層，因此可以改善亞閾值擺幅(S值)。
[0396]注意，例如，也可以使用將柵電極形成在溝道區(qū)上的結(jié)構(gòu)、將柵電極配置在溝道區(qū)下的結(jié)構(gòu)、交錯結(jié)構(gòu)、反交錯結(jié)構(gòu)、將溝道區(qū)分割成多個區(qū)的結(jié)構(gòu)、并聯(lián)連接溝道區(qū)的結(jié)構(gòu)或者串聯(lián)連接溝道區(qū)的結(jié)構(gòu)等的晶體管。作為晶體管，可以使用平面型、FIN(鰭)型、TR1-GATE(三柵) 型、頂柵型、底柵型、雙柵型 (在溝道上下配置有柵極) 等各種結(jié)構(gòu)的晶體管。
[0397]注意，例如，可以使用溝道區(qū)(或其一部分)與源電極或漏電極重疊的結(jié)構(gòu)的晶體管。當采用溝道區(qū)(或其一部分)與源電極或漏電極重疊的結(jié)構(gòu)時，可以防止因電荷積累于溝道區(qū)的一部分而導(dǎo)致的工作不穩(wěn)定。
[0398]注意，例如，可以使用設(shè)置有LDD區(qū)的結(jié)構(gòu)的晶體管。通過設(shè)置LDD區(qū)，可以降低截止態(tài)電流或者提高晶體管的耐壓性(提高可靠性)。或者，通過設(shè)置LDD區(qū)，當晶體管在飽和區(qū)域工作時，即便漏極-源極之間的電壓發(fā)生波動，泄漏電流的變化也不太大，從而可以得到傾斜角平坦的電壓-電流特性。
[0399]例如在本說明書等中，可以使用各種襯底形成晶體管。對襯底的種類沒有特別的限制。該襯底的例子包括半導(dǎo)體襯底(例如，單晶襯底或硅襯底)、SOI襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、金屬襯底、不銹鋼襯底、具有不銹鋼箔的襯底、鎢襯底、具有鎢箔的襯底、柔性襯底、貼合薄膜、包含纖維狀的材料的紙或者基材薄膜等。玻璃襯底的例子包括鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃等。柔性襯底、貼合薄膜、基材薄膜等的例子為如下:以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)為代表的塑料;丙烯酸樹脂等合成樹脂；聚丙烯；聚酯；聚氟化乙烯；聚氯乙烯；聚酰胺；聚酰亞胺；芳族聚酰胺;環(huán)氧樹脂;無機蒸鍍薄膜；以及紙類。尤其是，當使用半導(dǎo)體襯底、單晶襯底或SOI襯底等制造晶體管時，可以形成特性、尺寸或形狀等的不均勾性小、電流能力尚且尺寸小的晶體管。通過利用上述晶體管構(gòu)成電路，可以實現(xiàn)電路的低功耗化或電路的高集成化。
[0400]注意，也可以使用一個襯底來形成晶體管，然后將晶體管轉(zhuǎn)置到另一個襯底上。晶體管被轉(zhuǎn)置的襯底的例子包括，不僅可以使用上述可以形成晶體管的襯底，還可以使用紙襯底、玻璃紙襯底、芳族聚酰胺薄膜襯底、聚酰亞胺薄膜襯底、石材襯底、木材襯底、布襯底(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造纖維、再生聚酯)等)、皮革襯底、橡膠襯底等。通過使用上述襯底，可以實現(xiàn)特性良好的晶體管的形成、功耗低的晶體管的形成、不易損壞的裝置的制造、耐熱性的提高、輕量化或薄型化。
[0401 ]注意，可以在相同的襯底(例如，玻璃襯底、塑料襯底、單晶襯底或SOI襯底等)上形成為了實現(xiàn)指定的功能所需要的所有電路。如此，可以通過減少部件數(shù)量降低成本，或者可以通過減少與電路部件之間的連接數(shù)量提高可靠性。
[0402]注意，未必需要使用一個襯底形成為了實現(xiàn)指定的功能所需要的所有電路。換言之，也可以使用某個襯底形成為了實現(xiàn)指定的功能所需要的電路的一部分，并且使用另一襯底形成為了實現(xiàn)指定的功能所需要的電路的另一部分。例如，也可以使用玻璃襯底形成為了實現(xiàn)指定的功能所需要的電路的一部分，并且使用單晶襯底(或SOI襯底)形成為了實現(xiàn)指定的功能所需要的電路的另一部分。也可以通過C0G(Chip On Glass:玻璃覆晶封裝)將形成為了實現(xiàn)指定的功能所需要的電路的另一部分的單晶襯底(也稱為IC芯片)連接到玻璃襯底，從而在玻璃襯底上配置該IC芯片。或者，也可以使用TAB(Tape AutomatedBonding:卷帶自動結(jié)合)、C0F(Chip On Fi Im:薄膜覆晶封裝)、SMT (Surface MountTechnology:表面貼裝技術(shù))或印刷電路板等使該IC芯片和玻璃襯底連接。當使電路的一部分與像素部形成在同一襯底上，可以通過減少部件數(shù)量降低成本，或者可以通過減少與電路部件之間的連接數(shù)量提高可靠性。尤其是，在很多情況下，驅(qū)動電壓高的部分的電路或者驅(qū)動頻率高的部分的電路等的功耗高。于是，將該電路與像素部形成在不同的襯底(例如，單晶襯底)上，以形成IC芯片。通過使用該IC芯片，可以防止功耗的增大。
[0403]另外，可以構(gòu)成除本說明書的附圖或文章里未規(guī)定的內(nèi)容之外的發(fā)明。另外，當記載有某個值的范圍(例如上限值、下限值等)時，通過任意縮小該范圍或者去除該范圍的一部分，可以規(guī)定去除該范圍的一部分的發(fā)明。由此，例如，可以規(guī)定現(xiàn)有技術(shù)不包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
[0404]作為具體例子，示出包括第一晶體管至第五晶體管的電路的電路圖。在此情況下，可以規(guī)定為在發(fā)明中該電路不包括第六晶體管。此外，可以規(guī)定為在發(fā)明中該電路不包括電容器。再者，可以規(guī)定為在發(fā)明中該電路不包括具有特定連接結(jié)構(gòu)的第六晶體管?；蛘?，可以規(guī)定為在發(fā)明中該電路不包括具有特定連接結(jié)構(gòu)的電容器。例如，可以規(guī)定為在發(fā)明中不包括其柵極與第三晶體管的柵極連接的第六晶體管。例如，可以規(guī)定為在發(fā)明中不包括其第一電極與第三晶體管的柵極連接的電容器。
[0405]作為其他具體例子，關(guān)于某一個值，記載有“某一個電壓優(yōu)選為3V以上且1V以下”。在此情況下，例如，可以規(guī)定為發(fā)明不包括該電壓為-2V以上且IV以下的情況。例如，可以規(guī)定為發(fā)明不包括該電壓為13V以上的情況。注意，例如，可以規(guī)定為在發(fā)明中該電壓為5V以上且8V以下。例如，可以規(guī)定為在發(fā)明中該電壓大約為9V。例如，可以規(guī)定為在發(fā)明中該電壓為3V以上且1V以下但不是9V。
[0406]作為其他具體例子，記載有“某一個電壓優(yōu)選為10V”。在此情況下，例如，可以規(guī)定為發(fā)明不包括該電壓為-2V以上且IV以下的情況。例如，可以規(guī)定為發(fā)明不包括該電壓為13V以上的情況。
[0407]作為其他具體例子，關(guān)于某一個物質(zhì)的性質(zhì)，記載有“某一個膜為絕緣膜”。在此情況下，例如，可以規(guī)定為發(fā)明不包括該絕緣膜為有機絕緣膜的情況。例如，可以規(guī)定為發(fā)明不包括該絕緣膜為無機絕緣膜的情況。
[0408]作為其他具體例子，關(guān)于某一個層疊結(jié)構(gòu)，記載有“在A與B之間設(shè)置有某一個膜”。在此情況下，例如，可以規(guī)定為發(fā)明不包括該膜為四層以上的疊層膜的情況。例如，可以規(guī)定為發(fā)明不包括在A與該膜之間設(shè)置有導(dǎo)電膜的情況。
[0409]注意，各種人員可以實施在本說明書等中記載的發(fā)明。然而，有時不同人員參與該發(fā)明的實施。例如，就收發(fā)系統(tǒng)來說，有時A公司制造并銷售發(fā)送器，B公司制造并銷售接收器。作為其他例子，就具有TFT及發(fā)光元件的發(fā)光裝置來說，有時A公司制造并銷售包括TFT的半導(dǎo)體裝置，然后，B公司購買該半導(dǎo)體裝置，并在該半導(dǎo)體裝置中配置發(fā)光元件來完成發(fā)光裝置。
[0410]在此情況下，可以構(gòu)成可對A公司和B公司的雙方主張侵犯專利的發(fā)明的一個方式。因此，可對A公司或B公司主張侵犯專利的發(fā)明的一個方式是明確的，并且可以判斷其記載于本說明書等中。例如，就收發(fā)系統(tǒng)來說，可以僅由發(fā)送器構(gòu)成發(fā)明的一個方式，還可以僅由接收器構(gòu)成發(fā)明的一個方式，這些發(fā)明的一個方式是明確的，并且可以判斷其記載于本說明書等中。作為其他例子，就包含TFT及發(fā)光元件的發(fā)光裝置來說，可以僅由包括TFT的半導(dǎo)體裝置構(gòu)成發(fā)明的一個方式，還可以僅由具有TFT以及發(fā)光元件的發(fā)光裝置構(gòu)成發(fā)明的一個方式。這些發(fā)明的一個方式是明確的，并且可以判斷其記載于本說明書等中。
[0411]注意，在本說明書等中，有時即便不指定有源元件(晶體管、二極管等)、無源元件(電容器、電阻元件等)等所具有的所有端子的連接部分，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員也能夠構(gòu)成發(fā)明的一個方式。換言之，即便未指定連接部分，也可以說發(fā)明的一個方式是明確的。并且，在本說明書等中記載有指定了連接部分的內(nèi)容的情況下，有時可以判斷在本說明書等中記載有未指定連接部分的發(fā)明的一個方式。尤其在可能有多個端子連接部分的情況下，沒有必要指定該端子的連接部分。因此，有時通過僅指定有源元件(晶體管、二極管等)、無源元件(電容器、電阻元件等)等所具有的一部分的端子的連接部分，就能夠構(gòu)成發(fā)明的一個方式。
[0412]注意，在本說明書等中，只要至少指定某一個電路的連接部分，有時所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員就可以構(gòu)成發(fā)明。或者，只要至少指定某一個電路的功能，有時所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員就可以構(gòu)成發(fā)明。換言之，只要指定功能，就可以說發(fā)明的一個方式是明確的。另外，有時可以判斷在本說明書等中記載有指定了功能的發(fā)明的一個方式。因此，即便未指定某一個電路的功能，只要指定連接部分，該電路就是所公開的發(fā)明的一個方式，而可以構(gòu)成發(fā)明的一個方式。另外，即便未指定某一個電路的連接部分，只要指定其功能，該電路就是所公開的發(fā)明的一個方式，而可以構(gòu)成發(fā)明的一個方式。
[0413]注意，在本說明書等中，可以在某一個實施方式中所示出的附圖或者文章中取出其一部分來構(gòu)成發(fā)明的一個方式。因此，在記載有說明某一部分的附圖或者文章的情況下，取出其一部分的附圖或者文章的內(nèi)容也是所公開的發(fā)明的一個方式，而能夠構(gòu)成發(fā)明的一個方式。因此，例如，可以在記載有有源元件(晶體管、二極管等)、布線、無源元件(電容器、電阻元件等)、導(dǎo)電層、絕緣層、半導(dǎo)體層、有機材料、無機材料、零部件、裝置、工作方法、制造方法等中的一個或多個的附圖或者文章中，可以取出其一部分來構(gòu)成發(fā)明的一個方式。例如，可以從包括N個電路元件(晶體管、電容器等;N是整數(shù))而構(gòu)成的電路圖中取出M個電路元件(晶體管、電容器等;M是整數(shù)，M〈N)來構(gòu)成發(fā)明的一個方式。作為其他例子，可以從包括N個(N是整數(shù))層而構(gòu)成的截面圖中取出M個(M是整數(shù)，M〈N)層來構(gòu)成發(fā)明的一個方式。作為其他例子，可以從包括N個(N是整數(shù))要素而構(gòu)成的流程圖中取出M個(M是整數(shù)，M〈N)要素來構(gòu)成發(fā)明的一個方式。
[0414]注意，在本說明書等中，在某一個實施方式所示的附圖或文章中至少記載有一個具體例子的情況下，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實就是由上述具體例子導(dǎo)出該具體例子的上位概念。因此，在某一個實施方式所示的附圖或文章中至少記載有一個具體例子的情況下，該具體例子的上位概念也是所公開的發(fā)明的一個方式，而可以構(gòu)成發(fā)明的一個方式。
[0415]注意，在本說明書等中，至少在附圖中記載的內(nèi)容(也可以是其一部分)是發(fā)明的一個方式，而可以構(gòu)成發(fā)明的一個方式。因此，某個內(nèi)容只要在附圖中有記載，即便不使用文章來描述，該內(nèi)容也是所公開的發(fā)明的一個方式，而可以構(gòu)成發(fā)明的一個方式。同樣地，取出其一部分的附圖也是所公開的發(fā)明的一個方式，而可以構(gòu)成發(fā)明的一個方式。
[0416]注意，在附圖中，為了明確起見，有時夸大表示大小、層的厚度或區(qū)域。因此，本發(fā)明并不一定限定于這樣的尺寸。
[0417]在本說明書中，例如，當使用“直徑”、“粒徑(直徑)”、“大小”、“尺寸”、“寬度”等規(guī)定物體的形狀時，也可以將其換稱為容納物體的最小立方體的一邊長度或者物體的一個截面的當量圓直徑?！拔矬w的一個截面的當量圓直徑”是指等于物體的一個截面的面積的正圓形的直徑。
[0418]注意，例如在導(dǎo)電性充分低時，“半導(dǎo)體”有時包括“絕緣體”的特性。此外，有時“半導(dǎo)體”與“絕緣體”的界限模糊，不能嚴格地區(qū)別“半導(dǎo)體”與“絕緣體”。因此，有時可以將本說明書中記載的“半導(dǎo)體”換稱為“絕緣體”。同樣地，有時可以將本說明書中記載的“絕緣體”換稱為“半導(dǎo)體”。
[0419]注意，例如在導(dǎo)電性充分高時，“半導(dǎo)體”有時包括“導(dǎo)電體”的特性。此外，有時“半導(dǎo)體”與“導(dǎo)電體”的界限模糊，不能嚴格地區(qū)別“半導(dǎo)體”與“導(dǎo)電體”。因此，有時可以將本說明書中記載的“半導(dǎo)體”換稱為“導(dǎo)電體”。同樣地，有時可以將本說明書中記載的“導(dǎo)電體”換稱為“半導(dǎo)體”。
[0420]注意，半導(dǎo)體膜的雜質(zhì)例如是指構(gòu)成半導(dǎo)體膜的主要成分以外的元素。例如，濃度低于0.1atomic %的元素是雜質(zhì)。當包含雜質(zhì)時，例如，有時在半導(dǎo)體膜中形成有載流子陷阱，載流子迀移率下降或者結(jié)晶性下降。在半導(dǎo)體膜是氧化物半導(dǎo)體膜的情況下，改變半導(dǎo)體膜特性的雜質(zhì)的例子包括第I族元素、第2族元素、第14族元素、第15族元素、主要成分以外的過渡金屬等。尤其是，例如有氫(也包括水)、鋰、鈉、硅、硼、磷、碳、氮等。在采用氧化物半導(dǎo)體的情況下，由于雜質(zhì)混入，而有可能形成氧缺損。此外，當半導(dǎo)體膜是硅膜時，改變半導(dǎo)體膜特性的雜質(zhì)的例子包括氧、氫以外的第I族元素、第2族元素、第13族元素、第15族元素等。
[0421]在本說明書中，過剩氧例如是指超過化學(xué)計量組成的氧?；蛘撸^剩氧例如是指通過加熱釋放的氧。過剩氧能夠在膜或?qū)拥膬?nèi)部移動。過剩氧在膜或?qū)又械脑又g移動，或者過剩氧一邊與構(gòu)成膜或?qū)拥难踔脫Q一邊像臺球那樣一個接一個地移動。包含過剩氧的絕緣膜例如具有通過加熱處理釋放氧的功能。
[0422]在本說明書中，“平行”是指在-10°以上且10°以下的角度的范圍內(nèi)配置兩條直線的狀態(tài)。因此也包括該角度為-5°以上且5°以下的狀態(tài)。另外，“垂直”是指在80°以上且100°以下的角度的范圍內(nèi)配置兩條直線的狀態(tài)。因此也包括該角度為85°以上且95°以下的狀
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[0423]在本實施方式中，導(dǎo)電膜例如可以使用包含鋁、鈦、鉻、鈷、鎳、銅、釔、鋯、鉬、釕、銀、鉭或鎢的導(dǎo)電膜的單層或疊層。作為透過性導(dǎo)電膜，例如可以使用In-Zn-W氧化物膜、In-Sn氧化物膜、In-Zn氧化物膜、氧化銦膜、氧化鋅膜以及氧化錫膜等氧化物膜。另外，上述氧化物膜也可以添加有微量的Al、Ga、Sb、F等。此外，也可以使用具有能夠使光透過的厚度(優(yōu)選為5nm以上且30nm以下左右)的金屬薄膜。例如可以使用5nm厚的Ag膜、Mg膜或者Ag-Mg合金膜。作為高效率地反射可見光的膜，例如可以使用包含鋰、鋁、鈦、鎂、鑭、銀、硅或鎳的膜。
[0424]作為絕緣膜，例如可以使用包含氧化鋁、氧化鎂、氧化娃、氧氮化娃、氮氧化娃、氮化硅、氧化鎵、氧化鍺、氧化釔、氧化鋯、氧化鑭、氧化釹、氧化鉿或氧化鉭的絕緣膜的單層或疊層。或者，作為絕緣膜，也可以使用聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂等的樹脂膜。
[0425]在本說明書中，六方晶系包括二方晶系和菱方晶系。
[0426]另外，在本說明書中使用的“第一”、“第二”、“第三”等用語是為了避免構(gòu)成要素的混淆而附加的，而不是為了在數(shù)字上進行限定的。因此，例如可以將“第一”適當?shù)靥鎿Q為“第二，，或“第三，，等。
[0427]在本說明書中，當在進行光刻工序之后進行蝕刻工序時，去除在光刻工序中形成的掩模。
[0428]有時在晶體管中設(shè)置用來對背溝道施加電位的第二柵極。此時，在此為了區(qū)別兩個柵極，將通常被稱作柵極的端子稱為“前柵極”，將另一個端子稱為“背柵極”。
[0429]注意，電壓是指兩個點之間的電位差，而電位是指某一點的靜電場中的某單位電荷所具有的靜電能(電位能量)。注意，一般而言，將某一點的電位與基準的電位(例如接地電位)之間的電位差簡單地稱為電位或電壓，通常，電位和電壓是同義詞。因此，在本說明書中，除了特別指定的情況以外，既可將“電位”稱為“電壓”，又可將“電壓”稱為“電位”。
[0430]在本說明書等中，電壓大多是指某個電位與基準電位(例如接地電位)之間的電位差。由此，可將電壓、電位以及電位差分別換稱為電位、電壓以及電壓差。注意，電壓是指兩點之間的電位差，并且電位是指某一點的靜電場中的單位電荷所具有的靜電能(電位能)。
[0431]注意，一般而言，電位及電壓是相對值。因此，接地電位并不一定限定于O伏特。
[0432]晶體管是半導(dǎo)體元件的一種，并可以進行電流或電壓的放大、用來控制導(dǎo)通或非導(dǎo)通的開關(guān)工作等。本說明書中的晶體管包括絕緣柵場效應(yīng)晶體管(IGFET = InsulatedGate Field Effect Transistor)和薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor) 0
[0433]在本說明書等中，晶體管是指至少包括柵極、漏極以及源極這三個端子的元件。晶體管在漏極(漏極端子、漏區(qū)或漏電極)與源極(源極端子、源區(qū)或源電極)之間具有溝道區(qū)，并且電流能夠流過漏極、溝道區(qū)以及源極。在此，因為源極和漏極根據(jù)晶體管的結(jié)構(gòu)或工作條件等而更換，因此難以確定哪個是源極哪個是漏極。因此，有時不將用作源極的部分或用作漏極的部分稱為源極或漏極。在此情況下，例如，有時將源極和漏極中的一個稱為第一端子、第一電極或第一區(qū)域，并且將源極和漏極中的另一個稱為第二端子、第二電極或第二區(qū)域。
[0434]在本說明書等中，當明確地記載為“X與Y連接”時，包括X與Y電連接的情況;X與Y在功能上連接的情況；以及X與Y直接連接的情況。在此，X和Y都是對象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。因此，不局限于附圖或文章中所示的連接關(guān)系等指定的連接關(guān)系，附圖或文章中所示的連接關(guān)系以外的連接關(guān)系也記載于附圖或文章中。
[0435]X與Y直接連接的情況的例子包括:在X與Y之間沒有連接能夠電連接X與Y的元件(例如，開關(guān)、晶體管、電容器、電感器、電阻元件、二極管、顯示元件、發(fā)光元件、負載等)的情況;以及X與Y沒有通過能夠電連接X與Y的元件而連接的情況。
[0436]例如，在X與Y電連接的情況下，可以在X與Y之間連接一個以上的能夠電連接X與Y的元件(例如，開關(guān)、晶體管、電容器、電感器、電阻元件、二極管、顯示元件、發(fā)光元件、負載等)。開關(guān)具有控制開啟和關(guān)閉的功能。換言之，通過使開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)(開啟狀態(tài)或關(guān)閉狀態(tài))來控制為是否使電流流過?；蛘?，開關(guān)具有選擇并切換電流路徑的功能。注意，X與Y電連接的情況包括X與Y直接連接的情況。
[0437]例如，在X與Y在功能上連接的情況下，可以在X與Y之間連接一個以上的能夠在功能上連接X與Y的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉(zhuǎn)換電路諸如DA轉(zhuǎn)換電路、AD轉(zhuǎn)換電路、伽馬校正電路等、電位電平轉(zhuǎn)換電路諸如電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位電平的電平轉(zhuǎn)移電路等、電壓源、電流源、切換電路、放大電路諸如能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差分放大電路、源極跟隨電路、緩沖電路等、信號產(chǎn)生電路、存儲電路、以及/或控制電路)。注意，例如，即使在X與Y之間夾有其他電路，當從X輸出的信號傳送到Y(jié)時，也可以說X與Y在功能上是連接著的。注意，X與Y在功能上連接的情況包括X與Y直接連接的情況及X與Y電連接的情況。
[0438]注意，在本說明書等中，明確記載的“X與Y電連接”是指X與Y電連接(換言之，以中間夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y)的情況;X與Y在功能上連接(換言之，以中間夾有其他電路的方式在功能上連接X與Y)的情況；以及X與Y直接連接(換言之，以中間不夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y)的情況。換言之，在本說明書等中，明確記載的“X與Y電連接”與記載為“連接”的情況相同。
[0439]注意，例如，可以以后面的表達方式來表示如下情況:晶體管的源極(或第一端子等)通過Zl(或沒有通過Zl)與X電連接，晶體管的漏極(或第二端子等)通過Z2(或沒有通過Z2)與Y電連接的情況；以及晶體管的源極(或第一端子等)與Zl的一部分直接連接，Zl的另一部分與X直接連接，晶體管的漏極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接，并且，Z2的另一部分與Y直接連接的情況。
[0440]例如，上述表達方法包括“X、Y、晶體管的源極(或第一端子等)與晶體管的漏極(或第二端子等)相互電連接，X、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)與Y依次電連接”、“晶體管的源極(或第一端子等)與X電連接，晶體管的漏極(或第二端子等)與Y電連接，X、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)與Y依次電連接”、以及“X通過晶體管的源極(或第一端子等)及漏極(或第二端子等)與Y電連接，X、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)、Υ依次設(shè)置為相互連接”。當使用與這些例子相同的表達方法規(guī)定電路結(jié)構(gòu)中的連接順序時，可以區(qū)別晶體管的源極(或第一端子等)與漏極(或第二端子等)而決定技術(shù)范圍。
[0441]其他表達方法包括“晶體管的源極(或第一端子等)至少通過第一連接路徑與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑是晶體管的源極(或第一端子等)與晶體管的漏極(或第二端子等)之間的路徑，Zl在所述第一連接路徑上，晶體管的漏極(或第二端子等)至少通過第三連接路徑與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑，Ζ2在所述第三連接路上”?；蛘?，也可以表示為“晶體管的源極(或第一端子等)至少在第一連接路徑上通過Zl與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑具有通過晶體管的連接路徑，晶體管的漏極(或第二端子等)至少在第三連接路徑上通過Ζ2與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑”?；蛘?，也可以表示為“晶體管的源極(或第一端子等)至少在第一電路徑上通過Zl與X電連接，所述第一電路徑不具有第二電路徑，所述第二電路徑是從晶體管的源極(或第一端子等)到晶體管的漏極(或第二端子等)的電路徑，晶體管的漏極(或第二端子等)至少在第三電路徑上通過Ζ2與Y電連接，所述第三電路徑不具有第四電路徑，所述第四電路徑是從晶體管的漏極(或第二端子等)到晶體管的源極(或第一端子等)的電路徑”。通過使用與這些例子同樣的表達方法規(guī)定電路結(jié)構(gòu)中的連接路徑，可以區(qū)別晶體管的源極(或第一端子等)和漏極(或第二端子等)來決定技術(shù)??圍。
[0442]注意，這種表達方法只是一個例子而已，不局限于上述表達方法。在此，Χ、Υ、Ζ1及Ζ2都是對象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。
[0443]即便獨立的構(gòu)成要素在電路圖上相互電連接，有時一個構(gòu)成要素也兼具有多個構(gòu)成要素的功能。例如，當布線的一部分兼作電極時，一個導(dǎo)電膜兼具有布線和電極的兩個構(gòu)成要素的功能。因此，本說明書中的“電連接”的范疇內(nèi)還包括這種一個導(dǎo)電膜兼具有多個構(gòu)成要素的功能的情況。
[0444]例如，在本說明書等中，當明確地記載為“在X上形成有Y”或“在X上面形成有Y”時，不局限于Y直接接觸地形成在X上的情況。上述表達方法包括X與Y不直接接觸的情況，即，在X和Y之間夾有其他對象物的情況。這里，X和Y都是對象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。
[0445]因此，例如，當明確地記載為在層X上(或?qū)覺上面)形成有層Y時，包括如下兩種情況:層Y直接接觸地形成在層X上的情況；以及在層X上直接接觸地形成有其他層(例如，層Z等)，并且層Y直接接觸地形成在該其他層上的情況。注意，其他層(例如，層Z等)可以是單層或多層(疊層)。
[0446]同樣地，當明確地記載為在X上方形成有Y時，不局限于Y直接接觸X上的情況，而還包括在X和Y之間夾有其他對象物的情況。因此，例如，當記載為在層X上方形成有層Y時包括如下兩種情況:層Y直接接觸地形成在層X上情況;在層X上直接接觸地形成其他層(例如層Z等)，并且層Y直接接觸地形成在所述其他層的上的情況。注意，其他層(例如層Z等)可以是單層或多層(疊層)。
[0447]注意，當明確地記載在X上面形成有Y、在X上形成有Y、或在X上方形成有Y時，還包括在X的斜上面/斜上方形成Y的情況。
[0448]注意，當在X下面形成Y或在X下方形成Y時也與上述情況同樣。
[0449]例如，在本說明書等中，“上面”、“上方”、“下面”、“下方”、“橫向”、“右”、“左”、“斜”、“后面”、“前面”、“內(nèi)”、“外”、或“中”等的表示空間配置的詞在很多情況下用來以附圖簡單地示出某種因素或特征與其他因素或特征的關(guān)系。注意，不局限于此，這些表示空間配置的詞除了附圖所描述的方向以外還可以包括其他方向。例如，當明確地記載為“在X上面有Y”時不局限于Y存在于X上面的情況。附圖中的裝置可以反轉(zhuǎn)或者轉(zhuǎn)動180°，所以還可以包括Y存在于X下面的情況。如此，“上”這詞除了 “上”方向以外還可以包括“下”方向。但是，不局限于此，附圖中的裝置向各種方向轉(zhuǎn)動，所以“上”這詞除了“上”及“下”這些方向以外還可以包括“橫”、“右”、“左”、“斜”、“后面”、“前面”、“內(nèi)”、“外”、或“中”等其他方向。換言之，根據(jù)情況可以適當?shù)亟忉尅?br>[0450]本實施方式對其他實施方式的一部分或全部進行更改、追加、修正、刪除、應(yīng)用、上位概念化或下位概念化。因此，可以將本實施方式的一部分或全部自由地組合于、應(yīng)用于或替換為其他實施方式的一部分或全部。
[0451]附圖標記說明
[0452]10:電子槍室；12:光學(xué)系統(tǒng)；14:樣品室；16:光學(xué)系統(tǒng)；18:拍攝裝置;20:觀察室；22:U父片室；32:灰光板；101:殼體；110:顯不面板；111:顯不區(qū)域；112:顯不區(qū)域；113:顯不區(qū)域；114:顯不區(qū)域；115:顯不區(qū)域；116:顯不區(qū)域；121:圖標；125:滑動條；126:手指；150:電子設(shè)備；153a:支撐面板；155a:支撐面板；155b:支撐面板；201:區(qū)域；202:圖像傳感器；203:照明元件；204:照明用圖像;205:拍攝對象;206:圖像;207:圖像;208:圖標;209:圖標；300:觸摸面板;301:顯示部；302:像素；302B:子像素；302G:子像素；302R:子像素；302t:晶體管;303c:電容器;303g(l):掃描線驅(qū)動電路;303g(2):成像像素驅(qū)動電路;303s(l):圖像?目號線驅(qū)動電路;303s(2):成像彳目號線驅(qū)動電路;3031:晶體管；308:成像像素;308p:光電轉(zhuǎn)換元件;308t:晶體管；309: FPC; 310:襯底;310a:阻擋膜;310b:襯底;310c:粘合層;311:布線;319:端子；321:絕緣膜；328:分隔壁;329:間隔物；350R:發(fā)光元件;351R:下部電極;352:上部電極;353:層;353a:發(fā)光單元；353b:發(fā)光單元；354:中間層；360:密封劑；367BM:遮光層;367p:反射防止層;367R:著色層;370:對置襯底;370a:阻擋膜;370b:襯底;370c:粘合層;380B:發(fā)光模塊;380G:發(fā)光模塊;380R:發(fā)光模塊;401:電池;402:接收單元;403:通信設(shè)備;404:揚聲器;405:揚聲器;500:觸摸面板;500B:觸摸面板;501:顯示部;502R:子像素；502t:晶體管；503c:電容器;503g(l):掃描線驅(qū)動電路；503t:晶體管；509:FPC;510:襯底;510a:阻擋膜;510b:襯底；510c:粘合層；511:布線；519:端子;521:絕緣膜;528:分隔壁；550R:發(fā)光元件；560:密封劑；567BM:遮光層；567p:反射防止層；567R:著色層；570:襯底；570a:阻擋膜;570b:襯底;570c:粘合層;580R:發(fā)光模塊；590:襯底;591:電極；592:電極;593:絕緣層;594:布線；595:觸摸傳感器;597:粘合層;598:布線；以及599:連接層
[0453]本申請基于2013年11月28日提交到日本專利局的日本專利申請N0.2003-245670，通過引用將其完整內(nèi)容并入在此。
【主權(quán)項】
1.一種電子設(shè)備，包括: 顯示裝置，所述顯示裝置包括: 第一面、第二面及第三面； 所述第一面上的第一顯示區(qū)域； 所述第二面上的第二顯示區(qū)域；以及 所述第三面上的第三顯示區(qū)域， 其中，所述第二面與所述第一面及所述第三面接觸且與所述顯示裝置的側(cè)面重疊， 所述第二顯示區(qū)域與所述顯示裝置的所述側(cè)面重疊， 所述第一面與所述第三面重疊， 并且，所述第一顯示區(qū)域具有大于所述第三顯示區(qū)域的面積。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備， 其中所述第三顯示區(qū)域的面積為所述第一顯示區(qū)域的面積的10%以上且90%以下。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備， 其中所述第三顯示區(qū)域的面積為所述第一顯示區(qū)域的面積的30%以上且70%以下。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備， 其中所述顯示裝置在所述第一至第三顯示區(qū)域中具有觸摸傳感器的功能。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，還包括輸入裝置， 其中所述顯示裝置在所述第一至第三顯示區(qū)域中具有輸入功能。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備， 其中所述第一顯示區(qū)域、所述第二顯示區(qū)域以及所述第三顯示區(qū)域在襯底的一個面上。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，還包括: 與所述第一面接觸的第四面；以及 所述第四面上的第四顯示區(qū)域， 其中所述第二面以及所述第二顯示區(qū)域與所述顯示裝置的頂側(cè)面重疊， 并且所述第四面以及所述第四顯示區(qū)域與所述顯示裝置的底側(cè)面重疊。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備， 其中所述第一顯示區(qū)域、所述第二顯示區(qū)域、所述第三顯示區(qū)域以及所述第四顯示區(qū)域在襯底的一個面上。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，還包括: 與所述第一面接觸的第四面；以及 所述第四面上的第四顯示區(qū)域， 其中所述第二面以及所述第二顯示區(qū)域與所述顯示裝置的頂側(cè)面重疊， 并且所述第四面以及所述第四顯示區(qū)域與所述顯示裝置的橫向側(cè)面重疊。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備， 其中所述第一顯示區(qū)域、所述第二顯示區(qū)域、所述第三顯示區(qū)域以及所述第四顯示區(qū)域在襯底的一個面上。11.一種電子設(shè)備，包括: 圖像傳感器；以及 顯示裝置，所述顯示裝置包括: 第一面、第二面及第三面； 所述第一面上的第一顯示區(qū)域； 所述第二面上的第二顯示區(qū)域；以及 所述第三面上的第三顯示區(qū)域， 其中，所述第二面與所述第一面及所述第三面接觸且與所述顯示裝置的側(cè)面重疊， 所述第二顯示區(qū)域與所述顯示裝置的所述側(cè)面重疊， 所述第一面與所述第三面重疊， 所述第一顯示區(qū)域具有大于所述第三顯示區(qū)域的面積， 所述顯示裝置被配置為在所述第一顯示區(qū)域中顯示通過所述圖像傳感器得到的第一圖像， 并且，所述顯示裝置被配置為在所述第二顯示區(qū)域中顯示通過所述圖像傳感器得到的第二圖像。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備， 其中所述第三顯示區(qū)域的面積為所述第一顯示區(qū)域的面積的10%以上且90%以下。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備， 其中所述第三顯示區(qū)域的面積為所述第一顯示區(qū)域的面積的30%以上且70%以下。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備， 其中所述第一顯示區(qū)域、所述第二顯示區(qū)域以及所述第三顯示區(qū)域在襯底的一個面上。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備，還包括: 與所述第一面接觸的第四面；以及 所述第四面上的第四顯示區(qū)域， 其中所述第二面以及所述第二顯示區(qū)域與所述顯示裝置的頂側(cè)面重疊， 并且所述第四面以及所述第四顯示區(qū)域與所述顯示裝置的底側(cè)面重疊。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子設(shè)備， 其中所述第一顯示區(qū)域、所述第二顯示區(qū)域、所述第三顯示區(qū)域以及所述第四顯示區(qū)域在襯底的一個面上。17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備，還包括: 與所述第一面接觸的第四面；以及 所述第四面上的第四顯示區(qū)域， 其中所述第二面以及所述第二顯示區(qū)域與所述顯示裝置的頂側(cè)面重疊， 并且所述第四面以及所述第四顯示區(qū)域與所述顯示裝置的橫向側(cè)面重疊。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電子設(shè)備， 其中所述第一顯示區(qū)域、所述第二顯示區(qū)域、所述第三顯示區(qū)域以及所述第四顯示區(qū)域在襯底的一個面上。19.一種電子設(shè)備的驅(qū)動方法，所述電子設(shè)備包括圖像傳感器和顯示裝置，該顯示裝置包括第一面上的第一顯示區(qū)域以及第三面上的第三顯示區(qū)域， 其中，所述第一面與所述第三面重疊， 所述第一顯示區(qū)域具有大于所述第三顯示區(qū)域的面積， 所述驅(qū)動方法包括如下步驟: 在所述第一顯示區(qū)域中顯示通過所述圖像傳感器得到的第一圖像，在所述第三顯示區(qū)域中顯示通過所述圖像傳感器得到的第二圖像。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備的驅(qū)動方法，所述顯示裝置還包括: 第二面上的第二顯示區(qū)域， 其中所述第二面與所述第一面及所述第三面接觸且與所述顯示裝置的側(cè)面重疊， 并且所述第二顯示區(qū)域與所述顯示裝置的所述側(cè)面重疊。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備的驅(qū)動方法， 其中所述第三顯示區(qū)域的面積為所述第一顯示區(qū)域的面積的10%以上且90%以下。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備的驅(qū)動方法， 其中所述第三顯示區(qū)域的面積為所述第一顯示區(qū)域的面積的30%以上且70%以下。
【文檔編號】G09G5/00GK105874525SQ201480064843
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2014年11月17日
【發(fā)明人】山崎舜平, 木村肇
【申請人】株式會社半導(dǎo)體能源研究所