專利名稱：一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)方法、像素單元及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路、像素單元驅(qū)動(dòng)方法、像素單元及顯示裝置。
背景技術(shù)：
OLED (Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器，也稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示器件，由于其具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄、響應(yīng)速度快，而且易于實(shí)現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實(shí)現(xiàn)和集成電路驅(qū)動(dòng)器相匹配、易于實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，因而具有廣闊的應(yīng)用前景。有機(jī)電致發(fā)光顯示器中的OLED像素單元一般以矩陣方式排列，并且按照OLED像素單元驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)方式的不同，可以分為無源矩陣(Passive Matrix-Organic LightEmission Display,簡(jiǎn)稱 PM-OLED)驅(qū)動(dòng)方式和有源矩陣(Active Matrix-Organic LightEmission Display，簡(jiǎn)稱AM-0LED)驅(qū)動(dòng)方式兩種。其中，PM-OLED驅(qū)動(dòng)方式雖然工藝簡(jiǎn)單，成本較低，但因存在交叉串?dāng)_、高功耗、低壽命等缺點(diǎn)，不能滿足高分辨率大尺寸顯示的需要。相比之下，AM-OLED驅(qū)動(dòng)方式在每一個(gè)像素單元中都集成了一組薄膜晶體管(Thin FilmTransistor，簡(jiǎn)稱TFT)和存儲(chǔ)電容，以組成像素單元驅(qū)動(dòng)電路，通過對(duì)TFT的驅(qū)動(dòng)控制，實(shí)現(xiàn)對(duì)通過OLED的電流的控制，從而使OLED發(fā)光。由于加入了 TFT和存儲(chǔ)電容，使得像素單元驅(qū)動(dòng)電路中的OLED在可控的一幀時(shí)間內(nèi)都能夠發(fā)光，而且所需驅(qū)動(dòng)電流小，功耗低，壽命更長(zhǎng)，可以滿足高分辨率多灰度的大尺寸顯示需要。同時(shí)，AM-OLED在可視角度、色彩的還原、功耗以及響應(yīng)時(shí)間等方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)，適用于高信息含量、高分辨率的顯示器。如圖1所示，現(xiàn)有的AM-OLED像素單元驅(qū)動(dòng)電路一般采用2T1C結(jié)構(gòu)，即包括兩個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容，分別為開關(guān)晶體管T1、驅(qū)動(dòng)晶體管T2和存儲(chǔ)電容Cs。其驅(qū)動(dòng)方式可以包括兩個(gè)階段，即數(shù)據(jù)寫入階段和數(shù)據(jù)保持階段。在數(shù)據(jù)寫入階段中，AM-OLED驅(qū)動(dòng)電路的掃描線輸出行選通信號(hào)Vsel選通開關(guān)晶體管T1所在的行，使得開關(guān)晶體管T1導(dǎo)通，該選通行的數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)電壓Vdata經(jīng)過開關(guān)晶體管T1進(jìn)入像素單元，對(duì)存儲(chǔ)電容Cs進(jìn)行充電，隨著驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位逐漸提高，使得驅(qū)動(dòng)晶體管T2開始導(dǎo)通，在編程穩(wěn)定階段驅(qū)動(dòng)晶體管T2工作于飽和區(qū)，根據(jù)TFT飽和區(qū)的源漏電流公式，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的輸出電流(即通過OLED的電流)為:IT2=IolED=1/2μnCoxw/L(VGs-Vth)2
式(1)中，μn為OLED的電子遷移率，Cox為OLED單位面積的絕緣側(cè)電容，W為驅(qū)動(dòng)晶體管T2的溝道寬度，L為驅(qū)動(dòng)晶體管T2的溝道長(zhǎng)度，Vgs為驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵源電壓，Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓。在數(shù)據(jù)保持階段中，AM-OLED驅(qū)動(dòng)電路的掃描線輸出行選通信號(hào)Vsel未選通開關(guān)晶體管T1所在的行，使得開關(guān)晶體管T1關(guān)斷，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位由于存儲(chǔ)電容Cs中存儲(chǔ)電荷的作用而保持不變，從而保持驅(qū)動(dòng)晶體管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，同時(shí)在給定的電源電壓Vdd的作用下使OLED進(jìn)行灰階發(fā)光，并在數(shù)據(jù)保持階段保持對(duì)OLED的持續(xù)驅(qū)動(dòng)。從通過OLED的電流表達(dá)式(即，公式(I))可以看出，該電流不僅受數(shù)據(jù)電壓Vdata的控制，同時(shí)也受驅(qū)動(dòng)晶體管T2閾值電壓Vth的影響，即現(xiàn)有的2T1C結(jié)構(gòu)無法對(duì)閾值電壓Vth的漂移或者閾值電壓Vth的不一致進(jìn)行補(bǔ)償。由于各像素單元驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管T2不可能具備完全一致的性能參數(shù)，又沒有對(duì)各像素單元驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓Vth進(jìn)行補(bǔ)償，勢(shì)必會(huì)造成流過各像素單元中OLED的電流不一致，使得各像素單元發(fā)光亮度不均，從而造成整個(gè)顯示屏亮度不均勻，影響顯示效果；而且，由于流過各像素單元中OLED的電流和數(shù)據(jù)電壓Vdata呈非線性關(guān)系，故不利于整個(gè)顯示屏灰度的調(diào)節(jié)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述缺陷，提供一種能夠減少甚至消除閾值電壓的變化對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的影響的像素單元驅(qū)動(dòng)電路、像素單元驅(qū)動(dòng)方法、像素單元及顯示裝置。解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案:所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光，其包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容，其中第一至第三薄膜晶體管均包括柵極、第一極和第二極；所述第一薄膜晶體管的柵極與掃描線相連，第一極與數(shù)據(jù)線相連，第二極與第一節(jié)點(diǎn)相連；所述第二薄膜晶體管的柵極采用兩個(gè)，其中一個(gè)柵極與掃描線相連，另一個(gè)柵極與第二控制線相連，第一極與存儲(chǔ)電容相連，第二極與第二節(jié)點(diǎn)相連；所述第三薄膜晶體管的柵極采用兩個(gè)，其中一個(gè)柵極與第一節(jié)點(diǎn)相連，另一個(gè)柵極與第二控制線相連，第一極與電源相連，第二極與第二節(jié)點(diǎn)相連；所述存儲(chǔ)電容的一端與第一節(jié)點(diǎn)相連，另一端與第二薄膜晶體管的第一極相連；所述發(fā)光器件的一端與第二節(jié)點(diǎn)相連，另一端接地。優(yōu)選地，所述第一節(jié)點(diǎn)與掃描線相連。優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括第四薄膜晶體管，其包括柵極、第一極和第二極；所述第四薄膜晶體管的柵極與第一控制線相連，第一極與第二節(jié)點(diǎn)相連，第二極接地。優(yōu)選地，各個(gè)薄膜晶體管均為N型薄膜晶體管；和/或，所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管。本發(fā)明還提供一種像素單元驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用于上述像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其包括如下步驟:Al.將第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管導(dǎo)通，并對(duì)存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電，當(dāng)所述存儲(chǔ)電容兩端的電壓達(dá)到第三薄膜晶體管的閾值電壓時(shí)，使得第三薄膜晶體管開始導(dǎo)通；A2.保持第二薄膜晶體管導(dǎo)通，同時(shí)將第一薄膜晶體管關(guān)斷，使得第三薄膜晶體管持續(xù)導(dǎo)通，以使所述發(fā)光器件開始并保持發(fā)光。優(yōu)選地，所述第一至第三薄膜晶體管均為N型薄膜晶體管；所述步驟Al包括:
通過掃描線和數(shù)據(jù)線輸入高電平信號(hào)，同時(shí)通過第二控制線輸入低電平信號(hào)；所述步驟A2包括:通過掃描線輸入低電平信號(hào)，同時(shí)通過數(shù)據(jù)線和第二控制線輸入高電平信號(hào)。優(yōu)選地，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路還包括所述第一節(jié)點(diǎn)與掃描線相連；所述驅(qū)動(dòng)方法還包括步驟Al之前的步驟B1:將第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管導(dǎo)通，并對(duì)第一薄膜晶體管預(yù)壓充電，以使第一節(jié)點(diǎn)處具有初始電壓。優(yōu)選地，所述第一至第三薄膜晶體管均為N型薄膜晶體管；所述步驟BI包括:通過掃描線輸入高電平信號(hào)，同時(shí)通過數(shù)據(jù)線和第二控制線輸入低電平信號(hào)。優(yōu)選地，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路還包括:第四薄膜晶體管，其包括柵極、第一極和第二極；所述第四薄膜晶體管的柵極與第一控制線相連，第一極與第二節(jié)點(diǎn)相連，第二極接地；所述驅(qū)動(dòng)方法還包括步驟BI之前的步驟Cl:將第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管關(guān)斷，同時(shí)將第四薄膜晶體管導(dǎo)通，以使第二節(jié)點(diǎn)處電壓為零。優(yōu)選地，所述第一至第四薄膜晶體管均為N型薄膜晶體管；所述步驟Cl包括:通過第一控制線輸入高電平信號(hào)，同時(shí)通過掃描線、數(shù)據(jù)線和第二控制線輸入低電平信號(hào)。本發(fā)明還提供一種像素單元，包括發(fā)光器件和與之相連的上述像素單元驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括多個(gè)呈矩陣分布的上述像素單元。有益效果:本發(fā)明所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路由于采用4T1C的結(jié)構(gòu)(即包括第一至第四薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容)，能夠減少甚至消除第三薄膜晶體管(即驅(qū)動(dòng)晶體管)的閾值電壓變化對(duì)發(fā)光器件(OLED)的驅(qū)動(dòng)電壓的影響，從而保證了發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電流的穩(wěn)定，也保證了每個(gè)像素單元中發(fā)光器件能夠正常顯示，以及保證了整個(gè)顯示界面的均一性，提聞了顯不裝置的品質(zhì)。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中AM-OLED像素單元驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例1所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例1所述像素單元驅(qū)動(dòng)方法的流程圖；圖4為圖2所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)序控制圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例2所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例2所述像素單元驅(qū)動(dòng)方法的流程圖；圖7為圖5所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)序控制圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例3所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例3所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路及與其相連的OLED所組成的矩陣結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例3所述像素單元驅(qū)動(dòng)方法的流程圖11為圖8所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)序控制圖。圖中:T1 一第一薄膜晶體管；T2 —第二薄膜晶體管；T3 —第三薄膜晶體管；T4 一第四薄膜晶體管；0LED —有機(jī)發(fā)光二極管；Cs —存儲(chǔ)電容;A —第一節(jié)點(diǎn)；B —第二節(jié)點(diǎn)；Gate 一掃描線；Data —數(shù)據(jù)線；Scanl —第一控制線；Scan2 —第二控制線。
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路、像素單元驅(qū)動(dòng)方法、像素單元及顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。實(shí)施例1:如圖2所示，本實(shí)施例提供一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光，其包括第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3和存儲(chǔ)電容Cs。其中，所述第一薄膜晶體管Tl包括柵極、第一極和第二極，所述柵極與掃描線Gate相連,所述第一極與數(shù)據(jù)線Data相連,所述第二極與第一節(jié)點(diǎn)A相連。所述第二薄膜晶體管T2包括兩個(gè)柵極、第一極和第二極，即所述第二薄膜晶體管為雙柵TFT，所述兩個(gè)柵極中的一個(gè)柵極與掃描線Gate相連，另一個(gè)柵極與第二控制線Scan2相連,所述第一極與存儲(chǔ)電容Cs相連,所述第二極與第二節(jié)點(diǎn)B相連。所述第三薄膜晶體管T3包括兩個(gè)柵極、第一極和第二極，即所述第三薄膜晶體管為雙柵TFT，所述兩個(gè)柵極中的一個(gè)柵極與第一節(jié)點(diǎn)A相連，另一個(gè)柵極與第二控制線scan2相連,所述第一極與電源Vdd相連,所述第二極與第二節(jié)點(diǎn)B相連。所述存儲(chǔ)電容Cs的一端與第一節(jié)點(diǎn)A相連，另一端與第二薄膜晶體管T2的第一極相連。所述發(fā)光器件的一端與第二節(jié)點(diǎn)B相連，另一端接地。優(yōu)選地，第一至第三薄膜晶體管均為N型薄膜晶體管。所述N型薄膜晶體管具有柵極輸入高電平信號(hào)后導(dǎo)通，柵極輸入低電平信號(hào)后關(guān)斷的特性。優(yōu)選地，所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED, Organic Light-EmittingDiode)。優(yōu)選地，第一至第三薄膜晶體管的第一極均為源極，第二極均為漏極；或者，第一至第三薄膜晶體管的第一極均為漏極，第二極均為源極。本實(shí)施例還提供一種包括發(fā)光器件和與之相連的上述像素單元驅(qū)動(dòng)電路的像素單元。本實(shí)施例還提供一種包括多個(gè)呈矩陣分布上述像素單元的顯示裝置。如圖3所示，本實(shí)施例還提供一種應(yīng)用于上述像素單元驅(qū)動(dòng)電路的像素單元驅(qū)動(dòng)方法，包括如下步驟:slOl.將第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2導(dǎo)通，并對(duì)存儲(chǔ)電容Cs進(jìn)行充電，當(dāng)所述存儲(chǔ)電容Cs兩端的電壓達(dá)到第三薄膜晶體管T3的閾值電壓Vth(T3)時(shí)，使得第三薄膜晶體管T3開始導(dǎo)通。具體地，通過掃描線Gate和數(shù)據(jù)線Data輸入高電平信號(hào)，同時(shí)通過第二控制線Scan2輸入低電平信號(hào)。sl02.保持第二薄膜晶體管T2導(dǎo)通，同時(shí)將第一薄膜晶體管Tl關(guān)斷，使得第三薄膜晶體管T3持續(xù)導(dǎo)通，以使所述發(fā)光器件開始并保持發(fā)光。具體地，通過掃描線Gate輸入低電平信號(hào)，同時(shí)通過數(shù)據(jù)線Data和第二控制線Scan2輸入高電平信號(hào)。下面通過圖4所示時(shí)序控制圖詳細(xì)描述本實(shí)施例所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法的工作原理:將圖4所示時(shí)序控制圖劃分為兩個(gè)階段，分別為Al階段和A2階段，在圖4中分別用Al和A2進(jìn)行標(biāo)示，且發(fā)光器件采用0LED。Al階段(數(shù)據(jù)寫入階段):通過掃描線Gate和數(shù)據(jù)線Data輸入高電平信號(hào)，同時(shí)通過第二控制線Scan2輸入低電平信號(hào)，使得第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線Data輸入的高電平信號(hào)開始對(duì)存儲(chǔ)電容Cs進(jìn)行充電，當(dāng)所述存儲(chǔ)電容Cs兩端的電壓達(dá)到第三薄膜晶體管T3的閾值電壓Vth(T3)時(shí)，使得第三薄膜晶體管T3開始導(dǎo)通。此階段第一至第三薄膜晶體管均工作在線性區(qū)，且第一節(jié)點(diǎn)A的電壓VA=VData (2)式(2)中，Vllata指的是數(shù)據(jù)線Data輸出的電壓，簡(jiǎn)稱為數(shù)據(jù)電壓；第二節(jié)點(diǎn)B的電壓
權(quán)利要求
1.一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光，其特征在于，包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容，其中第一至第三薄膜晶體管均包括柵極、第一極和第二極； 所述第一薄膜晶體管的柵極與掃描線相連，第一極與數(shù)據(jù)線相連，第二極與第一節(jié)點(diǎn)相連； 所述第二薄膜晶體管的柵極采用兩個(gè)，其中一個(gè)柵極與掃描線相連，另一個(gè)柵極與第二控制線相連，第一極與存儲(chǔ)電容相連，第二極與第二節(jié)點(diǎn)相連； 所述第三薄膜晶體管的柵極采用兩個(gè)，其中一個(gè)柵極與第一節(jié)點(diǎn)相連，另一個(gè)柵極與第二控制線相連，第一極與電源相連，第二極與第二節(jié)點(diǎn)相連； 所述存儲(chǔ)電容的一端與第一節(jié)點(diǎn)相連，另一端與第二薄膜晶體管的第一極相連； 所述發(fā)光器件的一端與第二節(jié)點(diǎn)相連，另一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一節(jié)點(diǎn)與掃描線相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括第四薄膜晶體管，其包括柵極、第一極和第二極；所述第四薄膜晶體管的柵極與第一控制線相連，第一極與第二節(jié)點(diǎn)相連，第二極接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于， 各個(gè)薄膜晶體管均為N型薄膜晶體管； 和/或，所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管。
5.一種像素單元驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用于權(quán)利要求1所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括如下步驟: Al.將第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管導(dǎo)通，并對(duì)存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電，當(dāng)所述存儲(chǔ)電容兩端的電壓達(dá)到第三薄膜晶體管的閾值電壓時(shí)，使得第三薄膜晶體管開始導(dǎo)通； A2.保持第二薄膜晶體管導(dǎo)通，同時(shí)將第一薄膜晶體管關(guān)斷，使得第三薄膜晶體管持續(xù)導(dǎo)通，以使所述發(fā)光器件開始并保持發(fā)光。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于， 所述第一至第三薄膜晶體管均為N型薄膜晶體管； 所述步驟Al包括: 通過掃描線和數(shù)據(jù)線輸入高電平信號(hào)，同時(shí)通過第二控制線輸入低電平信號(hào)； 所述步驟A2包括: 通過掃描線輸入低電平信號(hào)，同時(shí)通過數(shù)據(jù)線和第二控制線輸入高電平信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路還包括:所述第一節(jié)點(diǎn)與掃描線相連；所述驅(qū)動(dòng)方法還包括步驟Al之前的步驟B1:將第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管導(dǎo)通，并對(duì)第一薄膜晶體管預(yù)壓充電，以使第一節(jié)點(diǎn)處具有初始電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于， 所述第一至第三薄膜晶體管均為N型薄膜晶體管； 所述步驟BI包括: 通過掃描線輸入高電平 信號(hào)，同時(shí)通過數(shù)據(jù)線和第二控制線輸入低電平信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路還包括 第四薄膜晶體管，其包括柵極、第一極和第二極；所述第四薄膜晶體管的柵極與第一控制線相連，第一極與第二節(jié)點(diǎn)相連，第二極接地；所述驅(qū)動(dòng)方法還包括步驟BI之前的步驟Cl:將第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管關(guān)斷，同時(shí)將第四薄膜晶體管導(dǎo)通，以使第二節(jié)點(diǎn)處電壓為零。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于， 所述第一至第四薄膜晶體管均為N型薄膜晶體管； 所述步驟Cl包括:通過第一控制線輸入高電平信號(hào)，同時(shí)通過掃描線、數(shù)據(jù)線和第二控制線輸入低電平信號(hào)。
11.一種像素單元，其特征在于，包括發(fā)光器件和與之相連的如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路。
12.—種顯示裝置，其特征在于，包括多個(gè)呈矩陣分布的如權(quán)利要求11所述的像素單元。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光，其中第一薄膜晶體管的柵極與掃描線相連，第一極與數(shù)據(jù)線相連，第二極與第一節(jié)點(diǎn)相連；第二薄膜晶體管的一個(gè)柵極與掃描線相連，另一個(gè)柵極與第二控制線相連，第一極與存儲(chǔ)電容相連，第二極與第二節(jié)點(diǎn)相連；第三薄膜晶體管的一個(gè)柵極與第一節(jié)點(diǎn)相連，另一個(gè)柵極與第二控制線相連，第一極與電源相連，第二極與第二節(jié)點(diǎn)相連；存儲(chǔ)電容的一端與第一節(jié)點(diǎn)相連，另一端與第二薄膜晶體管的第一極相連；發(fā)光器件的一端與第二節(jié)點(diǎn)相連，另一端接地。相應(yīng)地，提供一種像素單元驅(qū)動(dòng)方法、像素單元及顯示裝置。本發(fā)明所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路能夠減少甚至消除閾值電壓的變化對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的影響。
文檔編號(hào)G09G3/32GK103117042SQ20131005732
公開日2013年5月22日 申請(qǐng)日期2013年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月22日
發(fā)明者孟慶超, 劉曉燕, 王文杰, 蘇曉俊 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司