專利名稱：高透觸摸屏玻璃及投射式電容觸摸屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及觸摸屏領(lǐng)域，尤其涉及一種高透觸摸屏玻璃及投射式電容觸摸屏。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的電容感應(yīng)觸摸屏采用單面鍍ITO膜的玻璃基板，使用圖形化制程工藝將 ITO膜蝕刻出電極圖形，在該圖形化后的ITO膜上覆蓋上起電介質(zhì)作用的透明絕緣膜層，然后在該絕緣膜層上再次以鍍膜方式形成第二層ITO膜，對(duì)該層ITO膜再次使用圖形化制程工藝蝕刻出電極圖形，在該第二層ITO膜上覆蓋起保護(hù)作用的透明絕緣膜，此層即為觸摸面板再貼合保護(hù)面板，即形成完整的觸摸屏。傳統(tǒng)電容觸摸屏制造工藝復(fù)雜，其中進(jìn)行線路圖形的制作步驟繁瑣，且需要在玻璃基板表面多次鍍膜任何一層鍍膜不良都將導(dǎo)致整個(gè)多層鍍膜的玻璃成為廢品，透光率偏低、成本較高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供了一種高透觸摸屏玻璃及投射式電容觸摸屏，其具有較高的成品率和透光率，生產(chǎn)成本較低。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提出了一種高透觸摸屏玻璃，包括玻璃基片，在所述玻璃基片的一個(gè)表面上依次涂鍍有AR膜層和ITO膜層。進(jìn)一步地，所述AR膜層的厚度為10 250nm。進(jìn)一步地，所述ITO膜層的厚度為10 30nm。進(jìn)一步地，所述AR膜層和ITO膜層采用磁控濺射鍍膜方式鍍膜。進(jìn)一步地，所述玻璃基片采用透明的鋼化玻璃或半鋼化玻璃，厚度為0.33 0. 55mm0本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種投射式電容觸摸屏，包括具有單面涂層的玻璃面板以及依次涂鍍于所述玻璃面板的涂層表面的OC膠絕緣層和MoAIMO導(dǎo)電膜層，所述玻璃面板為上述的高透觸摸屏玻璃。進(jìn)一步地，所述ITO膜層通過線路圖形蝕刻加工形成電極圖形。進(jìn)一步地，所述AR膜層的厚度為10 250nm。進(jìn)一步地，所述ITO膜層的厚度為10 30nm。進(jìn)一步地，所述AR膜層和ITO膜層采用磁控濺射鍍膜方式鍍膜。本實(shí)用新型實(shí)施例的高透觸摸屏玻璃通過在玻璃基片的單側(cè)表面依次涂鍍AR膜層和ITO膜層，從而提高了觸摸屏玻璃的透光率，采用該觸摸屏玻璃制造的投射式電容觸摸屏具有較高的成品率和透光率，生產(chǎn)成本較低。

[0016]圖1是本實(shí)用新型的高透觸摸屏玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型的投射式電容觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示的本實(shí)用新型的高透觸摸屏玻璃包括玻璃基片1和涂鍍?cè)诓ＡЩ? 一側(cè)表面的功能層。功能層包括依次涂鍍于玻璃基片1表面的具有減反射功能的AR膜層2和高方阻的ITO膜層3。其中，AR膜層2的厚度為IOnm 250nm，優(yōu)選為230nm ；ITO膜層3的厚度為IOnm 30nm，優(yōu)選為20nm，AR膜層2和ITO膜層3的具體厚度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行制備。玻璃基片1可采用透明的鋼化玻璃或半鋼化玻璃，厚度為0. 33 0. 55mm。如圖2所示的本實(shí)用新型的投射式電容觸摸屏包括玻璃基片1、依次涂鍍?cè)诓ＡЩ?一側(cè)表面的功能層、OC膠絕緣層4以及MoAIMO導(dǎo)電膜層5。功能層包括依次涂鍍于玻璃基片1表面的具有減反射功能的AR膜層2和高方阻的ITO膜層3。其中，AR膜層2的厚度為10 250nm，IT0膜層3的厚度為10 30nm。AR 膜層2和ITO膜層3的具體厚度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行制備。玻璃基片1可采用透明的鋼化玻璃或半鋼化玻璃。ITO膜層3通過線路圖形蝕刻加工形成電極圖形。投射式電容觸摸屏的制作過程為在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)玻璃基片1進(jìn)行平板清洗和熱烘干燥，采用全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行AR膜層2和ITO膜層3的連續(xù)鍍膜。玻璃基片1加熱溫度為280°C，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為0. 5m/min,使用13個(gè)AR靶進(jìn)行鍍AR膜層2，AR濺射功率170kW、O2流量為120sccm、Ar流量為100 220sccm、AR鍍膜室真空度為2. 6 X KT1Pa 5. 5 X KT1Pa之間，總氣壓為0. 260 0. 55Pa ；使用2個(gè)ITO靶進(jìn)行鍍ITO 膜，ITO鍍膜室真空度3. OX KT1Pa 4. 5 X KT1Pa之間。涂鍍好AR膜層2和ITO膜層3后，在ITO膜層3上通過線路圖形蝕刻加工形成電極圖形，然后進(jìn)行平板清洗和熱烘干燥，再印刷OC膠絕緣層4。采用連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)鍍MoAIMo導(dǎo)電膜層5，基片加熱溫度為100°C，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為0. 5m/min，在4號(hào)室等離子體離子預(yù)轟擊，離子源功率lkW、Ar流量180 220sccm、真空度2. 6X KTTa 5. 5 X KT1I^a之間，總氣壓為0. 26 0. 55Pa，使用1個(gè)離子源進(jìn)行等離子體離子預(yù)轟擊，使用6個(gè)Mo靶和6個(gè)Al靶進(jìn)行鍍MoAlMo膜，鍍膜室真空度3. OX KT1Pa 4. 5 X KT1Pa之間。該膜層制備工藝穩(wěn)定，濺射速度快，日產(chǎn)量高。通過以上流程的鍍制，可以一次性鍍成透過率達(dá)到93%以上的高透觸摸屏玻璃， 提高了屏幕顯示分辨率。通過在ITO膜層3上通過線路圖形蝕刻加工形成電極圖形，進(jìn)一步涂鍍OC膠絕緣層4和MoAIMO導(dǎo)電膜層5，實(shí)現(xiàn)投射式電容式觸摸屏所有功能，實(shí)現(xiàn)投射式電容屏的自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。以上所述是本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種高透觸摸屏玻璃，包括玻璃基片，其特征在于，在所述玻璃基片的一個(gè)表面上依次涂鍍有AR膜層和ITO膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的高透觸摸屏玻璃，其特征在于，所述AR膜層的厚度為10 250nmo
3.如權(quán)利要求1所述的高透觸摸屏玻璃，其特征在于，所述ITO膜層的厚度為10 30nmo
4.如權(quán)利要求1所述的高透觸摸屏玻璃，其特征在于，所述AR膜層和ITO膜層采用磁控濺射鍍膜方式鍍膜。
5.如權(quán)利要求1所述的高透觸摸屏玻璃，其特征在于，所述玻璃基片采用透明的鋼化玻璃或半鋼化玻璃，厚度為0. 33 0. 55mm。
6.一種投射式電容觸摸屏，其特征在于，包括具有單面涂層的玻璃面板以及依次涂鍍于所述玻璃面板的涂層表面的OC膠絕緣層和MOAIMO導(dǎo)電膜層，所述玻璃面板為權(quán)利要求 1 5所述的高透觸摸屏玻璃。
7.如權(quán)利要求6所述的投射式電容觸摸屏，其特征在于，所述ITO膜層通過線路圖形蝕刻加工形成電極圖形。
8.如權(quán)利要求6所述的投射式電容觸摸屏，其特征在于，所述AR膜層的厚度為10 250nmo
9.如權(quán)利要求6所述的投射式電容觸摸屏，其特征在于，所述ITO膜層的厚度為10 30nmo
10.如權(quán)利要求6所述的投射式電容觸摸屏，其特征在于，所述AR膜層和ITO膜層采用磁控濺射鍍膜方式鍍膜。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種高透觸摸屏玻璃，該觸摸屏玻璃包括玻璃基片以及在所述玻璃基片的一個(gè)表面上依次涂鍍的AR膜層和ITO膜層。本實(shí)用新型還公開了一種投射式電容觸摸屏，該電容觸摸屏采用上述觸摸屏玻璃并在觸摸屏玻璃的涂層表面進(jìn)一步印刷OC膠絕緣層并涂鍍MoAlMo導(dǎo)電膜層。本實(shí)用新型的高透觸摸屏玻璃和投射式電容觸摸屏具有較高的成品率和透光率，生產(chǎn)成本較低。
文檔編號(hào)C03C17/34GK202145304SQ201120253390
公開日2012年2月15日 申請(qǐng)日期2011年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月18日
發(fā)明者徐日宏, 李 東, 羅高軍, 詹達(dá)勇, 郭永飛 申請(qǐng)人:深圳市三鑫精美特玻璃有限公司